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DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順 新產(chǎn)能變數(shù)多

2010-07-14
作者:——
關(guān)鍵詞: 存儲器 DRAM 50 nm

近期DRAM市場供需雜音多,,由于終端需求前景不明,7月合約價不見起色,,仍持續(xù)往下修正,,加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加,,進(jìn)而壓抑價格走勢,然值得注意的是,,目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳,,新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量,因此,,第3季DRAM價格還有多少修正空間,,目前仍處于混沌狀態(tài)。

DRAM業(yè)者表示,,自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后,,原本供給吃緊的DRAM市場頓時松動,原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB,,等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量,,加上歐洲債信問題雪上加霜,導(dǎo)致整個終端買氣急冷凍,,第2季DRAM價格走勢呈現(xiàn)虎頭蛇尾情況,。

展望第3季DRAM價格走向,7月合約價反映需求疲弱而持續(xù)下跌,,各業(yè)者對于第3季整體合約價看法,,樂觀的業(yè)者認(rèn)為可維持平穩(wěn)或小跌,但悲觀聲浪認(rèn)為將一路走跌,,直至PC企業(yè)換機(jī)潮大量出籠后,,才有回穩(wěn)跡象。

不過,,DRAM業(yè)者指出,,第3季 DRAM價格走向要看各廠制程微縮進(jìn)度是否如預(yù)期順利,按照各家DRAM廠40和50納米量產(chǎn)時間表,,第3季DRAM產(chǎn)能增加數(shù)量將相當(dāng)可觀,,但近期各家 DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順消息頻傳,若第3季新產(chǎn)能開出進(jìn)度不如預(yù)期,,價格走勢未必會太悲觀,。

事實(shí)上,由于各DRAM廠進(jìn)入40和50納米制程后,,開始導(dǎo)入浸潤式曝光機(jī)臺(Immersion Scanner),,可說是最艱深的一道門檻,轉(zhuǎn)換制程學(xué)習(xí)曲線難度遠(yuǎn)高于過去,,導(dǎo)致2010年DRAM供給端變量相當(dāng)復(fù)雜,。

存儲器業(yè)者表示,南亞科和華亞科2009年起由70納米轉(zhuǎn)進(jìn)50納米,加上溝槽式(Trench)轉(zhuǎn)進(jìn)堆疊式(Stack)亦是大工程,,直到2010年第3季50納米產(chǎn)品才會大量產(chǎn)出,,但各界對于其50納米進(jìn)度仍存疑慮,凸顯50納米制程門檻頗高,。另外,,爾必達(dá)(Elpida)陣營包括力晶、瑞晶,、茂德等,,未來要從 63納米轉(zhuǎn)進(jìn)45納米所遇到困難,并不亞于南亞科和華亞科,,尤其跳過50納米直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米,,更是一大挑戰(zhàn)。

DRAM業(yè)者表示,,7月合約價持續(xù)往下,,目前各界對于8月合約價走勢不太樂觀,主要是短期內(nèi)看不到終端需求大幅回籠跡象,,唯一寄望是企業(yè)換機(jī)潮大量出籠,,而另一個穩(wěn)住價格動力,就是各廠40和50納米量產(chǎn)進(jìn)度再度往后延,。

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