隨著家用電器,、視聽產(chǎn)品的普及,，辦公自動(dòng)化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展,，越來越多的產(chǎn)品具有了待機(jī)功能,，以隨時(shí)滿足使用者的要求。這些新產(chǎn)品,、新技術(shù)在極大地方便我們生活的同時(shí),，也造成了大量的能源浪費(fèi)。,，“能源之星”等規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)在致力于提升這些設(shè)備所用電源工作能效的同時(shí),，也注重提升輕載能效及降低待機(jī)能耗。

對于一個(gè)反激式開關(guān)電源而言,，我們可以通過以下幾個(gè)方面來提升輕載效率和待機(jī)功耗：

1. 開關(guān)MOSFET的損耗通?？梢苑譃閷?dǎo)通損耗、開關(guān)損耗,、驅(qū)動(dòng)損耗等,。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下,，原邊電流的峰值和有效值都會明顯降低,，這時(shí)候的開關(guān)損耗是主導(dǎo)因素。而開關(guān)損耗與Vds電壓,、開關(guān)頻率有著直接的關(guān)系,。因此，減少MOSFET在輕載和空載時(shí)的損耗,，可以通過使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻,、間歇工作方式的芯片來實(shí)現(xiàn)；

2. 使用具有HV啟動(dòng)功能的芯片,，這樣可以避免啟動(dòng)電阻產(chǎn)生的損耗,。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻,；

3. 對反饋線路的優(yōu)化,。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準(zhǔn)431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機(jī)功耗,。當(dāng)然,，同時(shí)也要考慮到對Dynamic的影響；

4. 對吸收線路的優(yōu)化,。傳統(tǒng)的RCD嵌位線路會造成比較大的損耗,，相對而言,，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機(jī)功耗；
此外,，使用ZFB比較大的芯片,，以及優(yōu)化變壓器的設(shè)計(jì)也會起到一定的積極作用。

總之,，提升反激式開關(guān)電源的輕載能效及降低待機(jī)功耗,，需要對反激式拓?fù)渚€路做詳細(xì)的分析，抓住每一個(gè)損耗的源頭,，一點(diǎn)一滴的累積并提高,，才能最大限度的滿足日益嚴(yán)格的需求。