市場傳出，韓國三星的14奈米FinFET制程良率近期已有明顯改善，引發(fā)臺積電(2330)大客戶手機(jī)晶片龍頭廠高通(Qualcomm)在臺積電試產(chǎn)16奈米FinFET制程喊卡，加上高通高階S810晶片傳聞有過熱問題，3月上市時(shí)間延宕，市場預(yù)期將沖擊臺積電南科廠先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率與整體營運(yùn)。

　　臺積電預(yù)計(jì)本周四舉行法說會，屆時(shí)將會針對市場傳聞與營運(yùn)展望提出說明。不過，上周已有外資法人認(rèn)為臺積電今年面臨競爭恐將加劇，獲利成長可能 趨緩，率先調(diào)降投資評等，引發(fā)外資連續(xù)多個(gè)交易日賣超，不過，昨日外資賣超已縮小為8000多張，股價(jià)小漲0.5元，以132.5元作收 。

　　去年7月中旬，臺積電因先量產(chǎn)20奈米制程，16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程較競爭對手三星晚，導(dǎo)致大客戶高通轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn)，臺積電也坦承今年在此一制程市占率會較低，預(yù)期隨著今年下半年產(chǎn)能開出后，明年將搶回市占率。

　　臺積電共同執(zhí)行長魏哲家在去年10月法說會更指出，16奈米FinFET制程試產(chǎn)進(jìn)度超過預(yù)期且順利，將提早到今年第二季導(dǎo)入量產(chǎn)，第三季投片 量放大并開始貢獻(xiàn)營收，第四季挹注營收會很顯著，此制程生產(chǎn)效能超過臺積電歷代制程，貢獻(xiàn)營運(yùn)的成長斜度也會比20奈米制程更大。

　　不過，市場傳出，韓國三星的14奈米FinFET制程良率近期明顯改善，加上價(jià)格策略搶單搶得兇，吸引高通全面轉(zhuǎn)向三星投產(chǎn)，原在臺積電試產(chǎn) 16奈米FinFET制程則喊卡;高通高階S810晶片傳聞有過熱問題，3月上市時(shí)間延宕，蘋果iPhone 6拉貨旺季又已過，臺積電先進(jìn)制程主力廠南科14廠產(chǎn)能利用率恐受沖擊，傳出決定先行暫時(shí)停產(chǎn)20奈米2成產(chǎn)能，這可能影響臺積電第一季營運(yùn)下滑幅度比預(yù) 期高。