2014 年4 月29 日— 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸,、熱增強PowerPAK^® SC-70封裝的新款-30V,、12V V_GS P溝道TrenchFET^®功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件,，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業(yè)內最低的導通電阻,，在便攜電子產品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率,。

今天發(fā)布的Vishay Siliconix這款-30V VDS器件具有抵御過壓尖峰所需的余量,，其12V V_GS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的導通電阻，可用于超便攜,、電池供電的產品,。MOSFET適用于智能手機、平板電腦,、移動計算設備,、非植入式便攜醫(yī)療產品、硬盤驅動器,，以及電動牙刷,、刮胡刀，掃描儀和RFID讀寫機具等手持消費電子產品中的負載和輸入過壓保護開關,、電池充電器,、DC/DC轉換器。對于這些應用,，SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V),、23.5mΩ(-4.5V),、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的極低導通電阻，內建ESD保護達到4000V,。

SiA453EDJ在4.5V下的導通電阻比最接近的-30V器件低36%,，比使用12V V_GS的最接近器件低50%。MOSFET在-2.5V下的導通電阻比僅次于這款器件的12V V_GS器件低46%,。這些業(yè)內最低的數(shù)值使設計者能在電路里實現(xiàn)更低的壓降,，更有效地使用電能，并延長電池使用壽命,。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封裝能節(jié)省非常重要的PCB空間,。

MOSFET進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,，符合RoHS指令2011/65/EU,。