賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,，LSI在其用于高性能服務(wù)器,、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器（HBA）中,，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM）。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度,、低電壓,、無故障的存儲器，提升了LSI解決方案的性能,。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下,，而且廣受媒體好評。

LSI近期發(fā)布的LSI® SAS 9300 HBA系列產(chǎn)品是業(yè)界首款用于高性能服務(wù)器,、工作站和外部存儲系統(tǒng)的12Gb/s SAS HBA解決方案,。該系列的產(chǎn)品可加快存儲速度,，專為諸如交易數(shù)據(jù)庫,、Web 2.0、數(shù)據(jù)挖掘,、視頻流媒體及編輯等場合的高性能應(yīng)用而設(shè)計,。

賽普拉斯并行nvSRAM的存取時間可快至25ns，是市場上最快的異步非易失性RAM,。nvSRAM還具有無限次讀寫和恢復(fù)和20年的數(shù)據(jù)保存能力,，對于需要連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全且無需備用電池的應(yīng)用，這一產(chǎn)品是非常理想的選擇,。

LSI高級市場總監(jiān)Robin Wagner說：“隨著數(shù)據(jù)中心對存儲量管理要求的不斷提升,，對12Gb/s SAS的需求隨之增長。我們曾成功地運用過廣受媒體贊譽的nvSRAM,，完全能滿足我們LSI 9300系列產(chǎn)品的嚴(yán)苛要求,。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓，從而簡化了產(chǎn)品設(shè)計流程,，加速我們產(chǎn)品的上市進程,。”

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說：“我們很高興存儲界的領(lǐng)先者LSI采用我們的并行nvSRAM產(chǎn)品。這一產(chǎn)品應(yīng)用于業(yè)界首款12Gb/s解決方案,，充分證明了其不同凡響的速度和可靠性,。”

并行nvSRAM系列產(chǎn)品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇，并可工作在工業(yè)溫度范圍內(nèi),，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式,，如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及54-TSOPII等,。欲了解更多關(guān)于賽普拉斯nvSRAM產(chǎn)品的信息，敬請訪問如下網(wǎng)址：www.cypress.com/go/NVM,。

賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器制造工藝,。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用，例如RAID系統(tǒng),、PLC,、工業(yè)數(shù)據(jù)日志、計算和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),、汽車發(fā)動機,、服務(wù)器和交換機、航空電子,、軍用系統(tǒng),，以及游戲系統(tǒng)等。

賽普拉斯是SONOS制造工藝的領(lǐng)先者,，其旗艦產(chǎn)品PSoC^®混合信號陣列,、可編程時鐘及其他產(chǎn)品均采用這一工藝制造。SONOS與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS技術(shù)兼容,，還具有多種優(yōu)勢,，例如長壽命、低功耗和抗輻射,。SONOS技術(shù)在賽普拉斯自己的工廠和多個合作伙伴的工廠中同時采用,。與其他基于磁技術(shù)的非易失性存儲技術(shù)相比，這一工藝在規(guī)模和可制造性方面擁有顯著的優(yōu)勢,。賽普拉斯已發(fā)運了超過10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產(chǎn)品,。