羅姆旗下LAPIS Semiconductor開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)水平的超低功耗微控制器
2013-02-05
羅姆集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor面向安全令牌注１等需要紐扣電池或干電池長(zhǎng)時(shí)間工作的設(shè)備,，開(kāi)發(fā)出超低功耗微控制器“ML610Q474家族”，耗電量相比以往產(chǎn)品降低1/2,。本LSI實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)水平的低耗電量（Halt模式注2時(shí)僅0.25μA）,，使紐扣電池等小型小容量電池的長(zhǎng)時(shí)間使用成為可能,。另外，不僅耗電量低,，在IEC61000-4-2電磁兼容性試驗(yàn)中,，成功實(shí)現(xiàn)了±30KV注3 的超強(qiáng)電磁兼容性能。
本商品已于2012年11月份開(kāi)始出售樣品（樣品價(jià)格：200日元），計(jì)劃于2013月3月份投入量產(chǎn),。生產(chǎn)基地位于LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd.（日本宮城縣黑川郡）,。
在越來(lái)越普及的網(wǎng)上銀行生成一次性密碼用的安全令牌、鐘表等電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,，要求1個(gè)紐扣電池來(lái)實(shí)現(xiàn)幾年的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,。LAPIS Semiconductor為了滿足這種需求，一直以來(lái)專注于開(kāi)發(fā)更低耗電量的產(chǎn)品,，并為客戶供應(yīng)實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低耗電量0.5μA的ML610400系列產(chǎn)品,。但是，近年來(lái),，這些應(yīng)用的功能不斷增加,，功耗不斷增大，使電池壽命變短,，為了解決這個(gè)課題,，需要更低功耗的商品。
另一方面,，一直以來(lái)存在“抑制內(nèi)部的耗電量就會(huì)容易受電磁的干擾,，導(dǎo)致誤動(dòng)作的可能性增加”的課題，因此一直無(wú)法實(shí)現(xiàn)低功耗,。
此次LAPIS Semiconductor最新開(kāi)發(fā)了內(nèi)部穩(wěn)壓器和振蕩電路,，采用獨(dú)創(chuàng)的低漏電流工藝，實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品降低1/2的,、業(yè)界頂級(jí)水平的低功耗,。不僅如此，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部電路和布局,，確保了更高抗電磁干擾性能,，在IEC61000-4-2電磁兼容性試驗(yàn)中，實(shí)現(xiàn)了±30KV的電磁兼容性能,。另外,，同時(shí)兼顧了低耗電量與高抗電磁干擾性能，從而使設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作也成為可能,。由于耗電量更低,，客戶可使用價(jià)格便宜的小容量紐扣電池，還非常有助于客戶降低系統(tǒng)成本并實(shí)現(xiàn)小型化,。
而且,，“ML61Q474家族”配合可輕松開(kāi)始評(píng)估的ML610Q474參考板和軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境而開(kāi)發(fā)，用戶登錄LAPIS Semiconductor官方網(wǎng)站即可利用各種手冊(cè)和工具等,，具備完善的支持體制,。
＜低功耗微控制器“ML610Q474”家族的特點(diǎn)＞
?僅1枚芯片即可實(shí)現(xiàn)安全令牌所需的功能
?內(nèi)置LAPIS Semiconductor獨(dú)創(chuàng)的高性能8bitRISC內(nèi)核
?低功耗
?Halt模式時(shí),，耗電量?jī)H0.25μA
?內(nèi)置16KB Flash（ML610Q474、ML610Q475,、ML610Q476）
(同時(shí)備有內(nèi)置16KB ROM而非Flash的ML610474,、ML610475、ML610476)
?內(nèi)置1KB RAM
?封裝：die, 80個(gè)引腳TQFP
?樣品出貨中,。計(jì)劃2013年3月份開(kāi)始量產(chǎn)出貨
?樣品價(jià)格（參考）：200日元（稅前）
＜應(yīng)用領(lǐng)域＞
?安全令牌/鐘表/玩具
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
?注1：安全令牌
網(wǎng)上銀行等利用網(wǎng)絡(luò)的系統(tǒng)中,，進(jìn)行個(gè)人認(rèn)證時(shí)生成所需密碼的認(rèn)證裝置。
?注2：Halt模式
微控制器待機(jī)模式的一種（32KHz振蕩時(shí)）
?注3：通過(guò)LAPIS Semiconductor參考板以間接放電方法進(jìn)行測(cè)試,。
※ 本文所提及的公司名稱,、商品名稱基本上是各公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。