應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的有源擴頻時鐘產(chǎn)生器集成電路(IC),，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI),，為所有依賴于時鐘的信號在系統(tǒng)范圍內(nèi)降低EMI。

    P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低時鐘產(chǎn)生器的目標應用為圖形卡,、計算及消費等應用,。這器件支持3.3 伏(V)輸入電壓，頻率范圍為18 MHz至36 MHz,，通過外部電阻模擬控制擴頻偏差,。系統(tǒng)設(shè)計人員選擇該外部電阻之不同值在輸出提供所想要額度的擴頻偏差，便能更靈活地定制應用,，使在其應用中取得達致降低EMI的要求,。P3P8203A采用8引腳、2 mmx 2mm x 0.8 mm WDFN封裝,，非常適合用于印制電路板(PCB)空間受限的應用,。工作溫度范圍為0°C至+70°C。

    P3MS650100H和P3MS650103HLVCMOS峰值EMI降低時鐘產(chǎn)生器非常適合用于PCB空間受限的應用,，如手機和平板電腦等便攜電池供電設(shè)備,；在這些應用中，EMI/RFI可能是重大挑戰(zhàn),，而遵從EMI/RFIF規(guī)范是先決條件,。這兩款通用新擴頻型時鐘產(chǎn)生器采用尺寸僅為1 mmx

    1.2 mmx 0.8 mm的微型4引腳WDFN封裝,，提供業(yè)界最小的獨立式有源方案，用于降低時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘和數(shù)據(jù)信號的EMI/RFI,。P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8 V至3.3 V的輸入電壓范圍,，典型擴頻偏差為0.45%至1.4%，減小15 MHz至60 MHz頻率范圍之時鐘源的EMI/RFI,。工作溫度范圍為-20ºC至+85ºC,。

    安森美半導體工業(yè)及時序產(chǎn)品副總裁Ryan Cameron說：“符合EMI規(guī)范同時控制成本及盡量減少PCB占位面積，是便攜及計算應用的重大挑戰(zhàn),。我們新的EMI降低IC解決這些挑戰(zhàn),，提供高性價比的方案，降低時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘和數(shù)據(jù)信號的EMI/RFI,。設(shè)計工程師在設(shè)計周期及早應用這些器件,，可無須采用其他方案，也無須加入高成本的額外PCB層或屏蔽來處理EMI/RFI問題,。”

封裝及價格

    P3P8203A采用8引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.44美元,。P3MS650100H及P3MS650103H采用4引腳WDFN封裝,，每批量10,000片的單價為0.24美元。

Electronica 2012

    歡迎蒞臨安森美半導體于11月13日至16日德國慕尼黑Electronica 2012的展臺(A5館225號展臺),，觀看P3P8203A及用于通信應用的其它電源,、散熱和信號管理方案的演示。

關(guān)于安森美半導體

    安森美半導體(ON Semiconductor,，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商,。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯,、分立及定制器件,，幫助客戶解決他們在汽車、通信,、計算機,、消費電子、工業(yè),、LED照明,、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn),，既快速又符合高性價比,。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠,、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的世界一流,、增值型供應鏈和網(wǎng)絡(luò),。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。