L為PCB走線電感,，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm,，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH）,，其中Length單位取mm,。

Rg為柵極驅(qū)動電阻，設(shè)驅(qū)動信號為12V峰值的方波,。

Cgs為MOSFET柵源極電容,，不同的管子及不同的驅(qū)動電壓時會不一樣，這兒取1nF,。

VL+VRg+VCgs=12V

計(jì)算式

這是個3階系統(tǒng),，當(dāng)其極點(diǎn)為3個不同實(shí)根時是個過阻尼震蕩，有兩個相同實(shí)根時是臨界阻尼震蕩,，當(dāng)有虛根時是欠阻尼震蕩,，此時會在MOSFET柵極產(chǎn)生上下震蕩的波形，這是我們不希望看到的,，因此柵極電阻Rg阻值的選擇要使其工作在臨界阻尼和過阻尼狀態(tài),，考慮到參數(shù)誤差實(shí)際上都是工作在過阻尼狀態(tài)。

根據(jù)以上得到

計(jì)算式

因此根據(jù)走線長度可以得到Rg最小取值范圍,。

等效驅(qū)動電路圖

分別考慮20m長m和70mm長的走線： L20=30nH,，L70=80nH， 則Rg20=8.94Ω,，Rg70=17.89Ω,，

以下分別是電壓電流波形：

電壓電流波形

可以看到當(dāng)Rg比較小時驅(qū)動電壓上沖會比較高，震蕩比較多,，L越大越明顯,，此時會對MOSFET及其他器件性能產(chǎn)生影響。但是阻值過大時驅(qū)動波形上升比較慢,，當(dāng)MOSFET有較大電流通過時會有不利影響,。

MOSFET有較大電流通過時

此外也要看到，當(dāng)L比較小時,，此時驅(qū)動電流的峰值比較大,，而一般IC的驅(qū)動電流輸出能力都是有一定限制的，當(dāng)實(shí)際驅(qū)動電流達(dá)到IC輸出的最大值時,，此時IC輸出相當(dāng)于一個恒流源,，對Cgs線性充電,，驅(qū)動電壓波形的上升率會變慢。電流曲線就可能如左圖所示（此時由于電流不變,，電感不起作用）,。這樣可能會對IC的可靠性產(chǎn)生影響，電壓波形上升段可能會產(chǎn)生一個小的臺階或毛刺,。

IC的PWM OUT輸出

一般IC的PWM OUT輸出如左圖所示,，內(nèi)部集成了限流電阻Rsource和Rsink，通常Rsource>Rsink,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak。一般IC的驅(qū)動輸出能力在0.5A左右,，因此Rsource在20Ω左右,。

由前面的電壓電流曲線可以看到一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線,，感量可能會更大,，并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制,?？紤]到走線分布電容的影響，這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極,。

表

可以看到L對上升時間的影響比較小,，主要還是Rg影響比較大。上升時間可以用2*Rg*Cgs來近似估算,，通常上升時間小于導(dǎo)通時間的二十分之一時,，MOSFET開關(guān)導(dǎo)通時的損耗不致于會太大造成發(fā)熱問題，因此當(dāng)MOSFET的最小導(dǎo)通時間確定后Rg最大值也就確定了 ,，一般Rg在取值范圍內(nèi)越小越好,，但是考慮EMI的話可以適當(dāng)取大,。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇,，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小,，這也是Rsink

圖

實(shí)際使用中還要考慮MOSFET柵漏極還有個電容Cgd的影響,，MOSFET ON時Rg還要對Cgd充電,，會改變電壓上升斜率，OFF時VCC會通過Cgd向Cgs充電,，此時必須保證Cgs上的電荷快速放掉,，否則會導(dǎo)致MOSFET的異常導(dǎo)通。