1.正向電壓降低,，暗光

　　A：一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大,，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致,。

　　B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時的擠壓印或夾印,，分布位置,。

　　另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分,，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定,。

　　正向壓降低的芯片在固定電壓測試時，通過芯片的電流小,，從而表現(xiàn)暗點,，還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低，正向壓降正常,。

　　2.難壓焊：(主要有打不粘,，電極脫落，打穿電極)

　　A：打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠

　　B：有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,，其中以加厚層脫落為主,。

　　C：打穿電極：通常與芯片材料有關(guān)，材料脆且強度不高的材料易打穿電極,，一般GAALAS材料(如高紅,，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極，

　　D：壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度,，超聲波功率,，超聲時間，壓力,，金球大小,，支架定位等進行調(diào)整,。

　　3.發(fā)光顏色差異：

　　A：同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題，ALGAINP四元素材料采用量子結(jié)構(gòu)很薄,，生長是很難保證各區(qū)域組分一致,。(組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長),。

　　B：GAP黃綠芯片,，發(fā)光波長不會有很大偏差，但是由于人眼對這個波段顏色敏感,，很容易查出偏黃,，偏綠。由于波長是外延片材料決定的,，區(qū)域越小,，出現(xiàn)顏色偏差概念越小，故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法,。

　　C：GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色,，這是由于其發(fā)光機理為間接躍進。受雜質(zhì)濃度影響,，電流密度加大時，易產(chǎn)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽和,，發(fā)光是開始變?yōu)槌赛S色,。

　　4.閘流體效應(yīng);

　　A：是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導(dǎo)通，當電壓加高到一定程度,，電流產(chǎn)生突變,。

　　B：產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現(xiàn)了反向夾層，有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,，在使用過程是出于兩極電壓不夠大,，表現(xiàn)為不亮，可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,，也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問題所致,。

　　5.反向漏電：

　　A：原因：外延材料,，芯片制作，器件封裝,，測試一般5V下反向漏電流為10UA,，也可以固定反向電流下測試反向電壓。

　　B：不同類型的LED反向特性相差大：普綠,，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,，而普芯片則在十幾二十伏之間,。

　　C：外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致，芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,，嚴禁用有機溶液調(diào)配銀膠,。以防止銀膠通過毛細現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū)。