??? 在日前的快閃內(nèi)存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,，人們普遍對(duì)該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。

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??? 有人說,，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損,。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長(zhǎng),。當(dāng)然,，還包括了一個(gè)普遍的認(rèn)知：NAND的芯片尺寸微縮已接近尾聲。

??? 不過,，在這一片慘淡氣氛中,，美光科技(Micron Technology)的內(nèi)存部門副總裁Brian Shirley提出了他對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)未來的不同見解。

??? Shirley提出的四點(diǎn)看法包括：1. 產(chǎn)業(yè)正在復(fù)蘇,；2. NAND仍持續(xù)微縮,；3. NAND在新興市場(chǎng)正逐步擴(kuò)展；4. 與普遍的認(rèn)知恰好相反,，企業(yè)用戶將采用NAND閃存──這是由于美光正準(zhǔn)備推出稱之為eNAND的全新產(chǎn)品線,。

??? 從商業(yè)環(huán)境角度來看，內(nèi)存市場(chǎng)的衰退情況已有所改善,。“有些人認(rèn)為內(nèi)存場(chǎng)在2009年就會(huì)完蛋,，但現(xiàn)在看來情況還不算壞,，”Shirley對(duì)EE Times表示。

??? 首先,，在DRAM方面,，由于服務(wù)器與其它市場(chǎng)展現(xiàn)出了令人意外的需求，造成了DDR3 SDRAM的短缺,。而DDR3的短缺又導(dǎo)致OEM爭(zhēng)相下單DDR2內(nèi)存,。“DDR3一直相當(dāng)吃緊,，DDR2亦然,，”他說。

??? NAND 內(nèi)存的價(jià)格與需求也正在改善中,。Gartner分析師Joseph Unsworth在一份報(bào)告中指出,，稍早前，“幾乎所有密度的NAND現(xiàn)貨價(jià)格都上升了,，不過這主要集中8Gb的SLC型產(chǎn)品,，這部份展現(xiàn)了最大幅度的價(jià) 格上漲,。32Gb的MLC產(chǎn)品價(jià)格則輕微下滑，這部份主要是回跌7月底的漲價(jià),?！鳖A(yù)期返校季節(jié)的需求將持續(xù)提升，而這對(duì)消費(fèi)者支出和信心將發(fā)揮重要作用,。

??? 無論任何時(shí)候,，NAND都會(huì)有新的應(yīng)用，但NAND市場(chǎng)并沒有所謂一體化產(chǎn)品,，導(dǎo)致制造商必須針對(duì)‘特殊市場(chǎng)’開發(fā)產(chǎn)品,，Shirley說。

??? 盡管NAND已經(jīng)是一種通用型商品了,。不過,，廠商們?nèi)葬槍?duì)嵌入式、行動(dòng)與相關(guān)市場(chǎng)制定不同產(chǎn)品,。美光也透露了該公司專為企業(yè)用戶開發(fā)的eNAND產(chǎn)品,，據(jù)稱可為企業(yè)提供所需的可靠度與糾錯(cuò)能力。

??? 除了市場(chǎng)需求與新興應(yīng)用等資料,，以及根據(jù)美光表示仍持續(xù)微縮NAND外,，目前有關(guān)NAND市場(chǎng)并沒有進(jìn)一步的詳細(xì)情況。部份業(yè)界人士相信,，NAND將在2x-nm世代達(dá)到極限,，且業(yè)界將出現(xiàn)對(duì)于所謂‘通用型內(nèi)存’(universal memory)的需求。

??? 目前,，美光與其NAND合作伙伴──英特爾(Intel)已開始出貨34nm的NAND,。這兩家公司稍早前推出了每單元線3位(3bit-per-cell line)的34nm NAND閃存。

?? “說NAND已經(jīng)死亡太夸張了,，”Shirley說,。“在20nm范圍內(nèi),，我們?nèi)钥吹搅肆钊穗y以置信的微縮,。”事實(shí)上,，美光,、英特爾計(jì)劃在今年年底推出2x-nm NAND的組件。該組件介于25nm到30nm之間,。在實(shí)驗(yàn)室內(nèi),，兩家公司已經(jīng)開發(fā)了20nm以下的組件，他補(bǔ)充道,，1x-nm的產(chǎn)品是可行的,。