中心議題：
- 電磁兼容新進(jìn)展
- 無源EMI濾波器性能改善設(shè)計
- EMI濾波器小型化設(shè)計技術(shù)
開關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢,，使EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力,！本文介紹EMI濾波器的常見問題、發(fā)展趨勢及改善EMI濾波器性能的辦法,；從濾波器L/C器件性能影響因素,、L磁飽和/頻率的影響、 LC溫度的影響,、濾波器L/C器件雜散耦合的影響,、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無源EMI濾波器高頻性能的改善方案；并介紹了平面集成設(shè)計（電磁集成,；電容,、電感集成）及混合集成設(shè)計兩大EMI濾波器小型化設(shè)計技術(shù)。
一,、電磁兼容新進(jìn)展
開關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢,，EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力！
EMI濾波器應(yīng)達(dá)到高衰減性能,、小體積、低成本,。
EMI濾波器的常見問題：
- 低頻傳導(dǎo)發(fā)射高
- 高頻傳導(dǎo)/輻射發(fā)射高
- 體積大
影響EMI濾波器性能/體積的因素：
- L,、C最小否？ 從主電路結(jié)構(gòu),、控制及頻率方面來看LC對濾波器的性能影響
- 拓?fù)鋬?yōu)化否,？拓?fù)涫欠駜?yōu)化要看阻抗失配的情況如何。
- 材料影響否,？ 對于材料,，主要考慮的是磁芯Bs/u’+ju’’
- 寄生/耦合影響否？對于元器件之間的寄生/耦合作用是否影響濾波器的性能,，主要是從器件工藝/布局方面來考慮,，通過優(yōu)化器件的布局來盡量減少影響作用,，提高性能。
改善濾波器性能/體積的可能方法：
- 低通濾波器的精細(xì)設(shè)計
- 新型濾波器結(jié)構(gòu)設(shè)計
二. 無源EMI濾波器性能改善設(shè)計
無源LC反射濾波或吸收濾波,，可覆蓋150kHz-1GHz,。
•EMI濾波器應(yīng)處于阻抗失配狀態(tài)
•電感、電容應(yīng)有足夠的電壓,、電流容量
•Ldm電感,、Cx、Cy電容有最大值限制
如何選擇EMI濾波器拓?fù)洌?br />
如果一階濾波器無法滿足要求,，可以使用多階濾波器,。
濾波器L/C器件性能影響因素分析
電容引腳：
電感
改進(jìn)方案
短管腳并小容值電容PCB引線也要短
加大匝間距漸進(jìn)繞組
L磁飽和/頻率的影響
高飽和密度磁芯 合適橫截面積
LC溫度的影響
濾波器L/C器件雜散耦合的影響
寄生參數(shù)/耦合的抑制
電感EPC的抑制
電容ESL抑制
耦合的抑制
EMI濾波器小型化設(shè)計技術(shù)
EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小,、電感與電容體積影響,，通過采用新型磁材料、平面化集成設(shè)計,、混合濾波器設(shè)計的方式,，可以有效減小其體積。
平面集成設(shè)計
平面電磁集成化
平面集成電容,、電感集成
混合集成化
小結(jié)：EMC標(biāo)準(zhǔn)的提升,，要求抑制器件的高頻性能進(jìn)一步提升,；EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小、電感與電容體積影響,，通過采用新型磁材料,、平面化集成設(shè)計、混合濾波器設(shè)計等方式,，可以有效減小其體積,。