意法半導體(ST)創(chuàng)新高壓晶體管技術,協(xié)助開發(fā)更可靠的高能效電源
2009-05-13
作者:意法半導體
??? 功率半導體技術的世界領導者意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出全新系列功率MOSFET晶體管,,新產品的擊穿電壓更高,,抗涌流能力更強,,電能損耗更低,特別適用于設計液晶顯示器,、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產品的高能效電源,。?
??? STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950V的擊穿電壓級別產品,此一新級別的產品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng),。與競爭品牌的900V產品相比,,意法半導體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大,可靠性更高,。高壓電源設計人員還可以使用一個 單一950V MOSFET取代雙晶體管電路,,從而簡化電路設計,縮減尺寸,,減少元器件數量,。?
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??? 此外,STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產品,,這個優(yōu)勢可確保產品能夠承受高于擊穿電壓的電涌,,因為過高的浪涌電流會燒毀器件。新產品的額定雪崩電流為9A,,而實力最接近的競爭品牌的900V產品的額定雪崩電流大約只有1A,。?
??? 除更強的耐高壓能力外,STx7N95K3系列還實現了導通損耗最小化,,導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下,。新產品的單位芯片面積導通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,設計人員可以提高功率密度及能效,。?
??? 同時,,因為達成低柵電荷量(QG)和低本征電容,,這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關性能,這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率,、尺寸更小的元器件,,以進一步提高能效和功率密度。 ?
??? STx7N95K3 MOSFET實現這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代SuperMESH3?技術,。新產品采用工業(yè)標準封裝:STF7N95K3采用 TO-220FP封裝,;STP7N95K3采用標準的TO-220封裝;STW7N95K3采用TO-247封裝,。 ?
??? 隨后將推出的新產品是:950V 的BVDSS STW25N95K3,、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3,。在推出這些產品后,,意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品,包括850V,、950V、1050V和1200V系列產品,。 ?
??? STx7N95K3系列已投產,。?
??? 詳情請訪問:www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.?
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??? 關于意法半導體(ST)
??? 意法半導體是微電子應用領域中開發(fā)供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統(tǒng)技術的完美結合,,雄厚的制造實力,,廣泛的知識產權組合(IP),以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關系,,使意法半導體在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術方面居最前沿地位,。在今天實現技術一體化的發(fā)展趨勢中,意法半導體的產品扮演重要的角色,。2008年,,公司凈收入98.4億美元,公司股票分別在紐約股票交易所,、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市,。詳情請訪問意法半導體公司網站 www.st.com 或意法半導體中文網站 www.stmicroelectronics.com.cn。