中心議題：
解決方案：
- 利用l700v，200～300A的IGBT的驅動電路
- 實現(xiàn)了對兩個IGBT(同一橋臂)的互鎖
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用,。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體,，具有電壓控制、輸入阻抗大,、驅動功率小,、控制電路簡單、開關損耗小,、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點,。
但是，IGBT和其它電力電子器件一樣,，其應用還依賴于電路條件和開關環(huán)境,。因此，IGBT的驅動和保護電路是電路設計的難點和重點,，是整個裝置運行的關鍵環(huán)節(jié),。
為解決IGBT的可靠驅動問題，國外各IGBT生產(chǎn)廠家或從事IGBT應用的企業(yè)開發(fā)出了眾多的IGBT驅動集成電路或模塊,，如國內(nèi)常用的日本富士公司生產(chǎn)的EXB8系列,，三菱電機公司生產(chǎn)的M579系列，美國IR公司生產(chǎn)的IR21系列等,。但是,，EXB8系列、M579系列和IR21系列沒有軟關斷和電源電壓欠壓保護功能,，而惠普生產(chǎn)的HCLP一316J有過流保護,、欠壓保護和1GBT軟關斷的功能，且價格相對便宜,，因此,，本文將對其進行研究,，并給出1700V，200～300A IGBT的驅動和保護電路,。
1 IGBT的工作特性
IGBT是一種電壓型控制器件,，它所需要的驅動電流" title="驅動電流">驅動電流與驅動功率非常小，可直接與模擬或數(shù)字功能塊相接而不須加任何附加接口電路,。IGBT的導通與關斷是由柵極電壓UGE來控制的,，當UGE大于開啟電壓UGE(th)時IGBT導通，當柵極和發(fā)射極間施加反向或不加信號時,，IGBT被關斷,。
IGBT與普通晶體三極管" title="晶體三極管">晶體三極管一樣，可工作在線性放大區(qū),、飽和區(qū)和截止區(qū),，其主要作為開關器件應用。在驅動電路中主要研究IGBT的飽和導通和截止兩個狀態(tài),，使其開通上升沿和關斷下降沿都比較陡峭,。
2 IGBT驅動電路要求
在設計IGBT驅動時必須注意以下幾點。
1)柵極正向驅動電壓的大小將對電路性能產(chǎn)生重要影響,，必須正確選擇,。當正向驅動電壓增大時，．IGBT的導通電阻下降,，使開通損耗減?。坏粽蝌寗与妷哼^大則負載短路時其短路電流IC隨UGE增大而增大,，可能使IGBT出現(xiàn)擎住效應,，導致門控失效，從而造成IGBT的損壞,；若正向驅動電壓過小會使IGBT退出飽和導通區(qū)而進入線性放大區(qū)域,，使IGBT過熱損壞；使用中選12V≤UGE≤18V為好,。柵極負偏置電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,，一般負偏置電壓選一5V為宜。另外,，IGBT開通后驅動電路應提供足夠的電壓和電流幅值,，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和導通區(qū)而損壞。
2)IGBT快速開通和關斷有利于提高工作頻率,，減小開關損耗,。但在大電感負載下IGBT的開關頻率不宜過大，因為高速開通和關斷時,，會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,，極有可能造成IGBT或其他元器件被擊穿,。
3)選擇合適的柵極串聯(lián)電阻RG和柵射電容CG對IGBT的驅動相當重要。RG較小,，柵射極之間的充放電時間常數(shù)比較小,，會使開通瞬間電流較大，從而損壞IGBT,；RG較大,，有利于抑制dvce／dt，但會增加IGBT的開關時間和開關損耗,。合適的CG有利于抑制dic／dt,，CG太大，開通時間延時,，CG太小對抑制dic／dt效果不明顯,。
4)當IGBT關斷時，柵射電壓很容易受IGBT和電路寄生參數(shù)的干擾,，使柵射電壓引起器件誤導通，為防止這種現(xiàn)象發(fā)生,，可以在柵射間并接一個電阻,。此外，在實際應用中為防止柵極驅動電路出現(xiàn)高壓尖峰,，最好在柵射間并接兩只反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管,，其穩(wěn)壓值應與正負柵壓相同。
3.1 HCPL-316J內(nèi)部結構及工作原理
若IGBT出現(xiàn)過流信號(腳14檢測到IGBT集電極上電壓=7V),，而輸入驅動信號繼續(xù)加在腳1,，欠壓信號為低電平，B點輸出低電平,，三級達林頓管被關斷,，1×DMOS導通，IGBT柵射集之間的電壓慢慢放掉,，實現(xiàn)慢降柵壓,。當VOUT=2V時，即VOUT輸出低電平,，C點變?yōu)榈碗娖?，B點為高電平，50×DMOS導通,，IGBT柵射集迅速放電,。故障線上信號通過光耦，再經(jīng)過RS觸發(fā)器,，Q輸出高電平,，使輸入光耦被封鎖,。同理可以分析只欠壓的情況和即欠壓又過流的情況。
3.2驅動電路設計
HCPL-316J左邊的VIN+,，F(xiàn)AULT和RESET分別與微機相連,。R7，R8,，R9,，D5，D6和C12 起輸入保護作用,，防止過高的輸入電壓損壞IGBT,，但是保護電路會產(chǎn)生約1μs延時，在開關頻率超過100kHz時不適合使用,。Q3最主要起互鎖作用,，當兩路PWM信號(同一橋臂)都為高電平時，Q3導通,，把輸入電平拉低,，使輸出端也為低電平。圖3中的互鎖信號Interlock,，和Interlock2分別與另外一個316J Interlock2和Interlock1相連,。R1和C2起到了對故障信號的放大和濾波，當有干擾信號后,，能讓微機正確接受信息,。
在輸出端，R5和C7關系到IGBT開通的快慢和開關損耗,，增加C7可以明顯地減小dic／dt,。首先計算柵極電阻：其中ION為開通時注入IGBT的柵極電流。為使IGBT迅速開通,，設計,，IONMAX值為20A。輸出低電平VOL=2v,。C3是一個非常重要的參數(shù),，最主要起充電延時作用。當系統(tǒng)啟動,，芯片開始工作時,，由于IGBT的集電極C端電壓還遠遠大于7V，若沒有C3,，則會錯誤地發(fā)出短路故障信號,，使輸出直接關斷。當芯片正常工作以后,，假使集電極電壓瞬間升高,，之后立刻恢復正常,，若沒有C3，則也會發(fā)出錯誤的故障信號,，使IGBT誤關斷,。但是，C3的取值過大會使系統(tǒng)反應變慢,，而且在飽和情況下,，也可能使IGBT在延時時間內(nèi)就被燒壞，起不到正確的保護作用,， C3取值100pF,，其延時時間在集電極檢測電路用兩個二極管串連，能夠提高總體的反向耐壓,，從而能夠提高驅動電壓等級,，但二極管的反向恢復時間要很小，且每個反向耐壓等級要為1000V,，一般選取BYV261E,，反向恢復時間75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出現(xiàn)過流信號后具有的軟關斷特性,，其原理是C5通過內(nèi)部MOSFET的放電來實現(xiàn)軟關斷,。圖3中輸出電壓VOUT經(jīng)過兩個快速三極管推挽輸出，使驅動電流最大能達到20A,，能夠快速驅動1700v,、200-300A的IGBT,。
3．3驅動電源設計
在驅動設計中,，穩(wěn)定的電源是IGBT能否正常工作的保證。電源采用正激變換,，抗干擾能力較強,，副邊不加濾波電感，輸入阻抗低,，使在重負載情況下電源輸出電壓仍然比較穩(wěn)定,。
當s開通時，+12v(為比較穩(wěn)定的電源,，精度很高)電壓便加到變壓器原邊和S相連的繞組,，通過能量耦合使副邊經(jīng)過整流輸出。當S關斷時,，通過原邊二極管和其相連的繞組把磁芯的能量回饋到電源,，實現(xiàn)變壓器磁芯的復位。555定時器接成多諧振蕩器,，通過對C1的充放電使腳2和腳6的電位在4～8v之間變換,，使腳3輸出電壓方波信號,，并用方波信號來控制S的開通和關斷。+12v經(jīng)過R1,，D2給C1充電,，其充電時間t1≈R1C2ln2；放電時間t2=R2C1ln2,，充電時輸出高電平,，放電時輸出低電平。所以占空比=t1／(t1+t2),。
變壓器按下述參數(shù)進行設計：原邊接+12v,，頻率為60kHz，工作磁感應強度Bw為O．15T,，副邊+15v輸出2A,，-5v輸出1 A，效率n=80％,，窗口填充系數(shù)Km為O．5,，磁芯填充系數(shù)Kc為1，線圈導線電流密度d為3 A／mm2,。則輸出功率 PT=(15+O．6)×2×2+(5+O．6)×1×2=64W,。
由于帶載后驅動電源輸出電壓會有所下降，所以,，在實際應用中考慮提高頻率和占空比來穩(wěn)定輸出電壓,。
4 結語
本文設計了一個可驅動l700v，200～300A的IGBT的驅動電路,。硬件上實現(xiàn)了對兩個IGBT(同一橋臂)的互鎖,，并設計了可以直接給兩個IGBT供電的驅動電源。
HCPL-316J可分為輸入IC(左邊)和輸出IC(右邊)二部分,，輸入和輸出之間完全能滿足高壓大功率IGBT驅動的要求,。
各引腳功能如下：
腳1(VIN+)正向信號輸入；
腳2(VIN-)反向信號輸入,；
腳3(VCG1)接輸入電源,；
腳4(GND)輸入端的地；
腳5(RESERT)芯片復位輸入端,；
腳6(FAULT)
故障輸出,，當發(fā)生故障(輸出正向電壓欠壓或IGBT短路)時，通過光耦輸出故障信號,；
腳7(VLED1+)光耦測試引腳,，懸掛；
腳8(VLED1-)接地；
腳9,，腳10(VEE)給IGBT提供反向偏置電壓,；
腳11(VOUT)輸出驅動信號以驅動IGBT；
腳12(VC)三級達林頓管集電極電源,；
腳13(VCC2)驅動電壓源,；
腳14(DESAT) IGBT短路電流檢測；
腳15(VLED2+)光耦測試引腳,，懸掛,；
腳16(VE)輸出基準地。
若VIN+正常輸入,，腳14沒有過流信號,，且VCC2-VE=12v即輸出正向驅動電壓正常，驅動信號輸出高電平,，故障信號和欠壓信號輸出低電平,。首先3路信號共同輸入到JP3，D點低電平,，B點也為低電平,，50×DMOS處于關斷狀態(tài)。此時JP1的輸入的4個狀態(tài)從上至下依次為低,、高,、低、低,，A點高電平,，驅動三級達林頓管導通，IGBT也隨之開通,。