隨著蜂窩網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸速率的提升,,數(shù)據(jù)卡以及手機(jī)對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨笠踩找嬖黾?。?a class="innerlink" href="http://wldgj.com/tags/WCDMA" title="WCDMA" target="_blank">WCDMA手機(jī)功放而言,,由于手機(jī)經(jīng)常在基站密集的城市區(qū)域使用,,因此在中低輸出功率范圍內(nèi)需要高效率的工作;在另一方面,,對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸來說,傳輸量的增加導(dǎo)致了PA更多地工作于高輸出功率模式下,。對(duì)于數(shù)據(jù)卡和手機(jī)來說,,高功效對(duì)數(shù)據(jù)卡更加重要。因此很多功放廠家除提供用于手機(jī)的功放以外,,還會(huì)專門開發(fā)適用于數(shù)據(jù)卡或者高速率數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域的功放,。三菱電機(jī)開發(fā)了一款用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝使Ψ?ldquo;BA012Fx”,并已于近期發(fā)布,。本文主要介紹BA012Fx系列的設(shè)計(jì)理念以及實(shí)驗(yàn)結(jié)果,。
基于GaAs HBT工藝的數(shù)據(jù)卡用新型功放
GaAs HBT(砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管)放大器被廣泛應(yīng)用在CDMA手機(jī)領(lǐng)域。這是由于HBT比FET(場(chǎng)效應(yīng)管)擁有更高的輸出功率密度,,而且HBT可以由一路偏置電壓驅(qū)動(dòng),。因此,HBT功率放大器在手機(jī)領(lǐng)域已經(jīng)發(fā)展了多年。
三菱電機(jī)專門為數(shù)據(jù)卡開發(fā)了BA012Fx系列功放,,該系列擁有5個(gè)頻段,,分別為Band1(1920MHz~1980MHz)、Band2(1850MHz~1910MHz),、Band3(1710MHz~1785MHz),、Band5(824MHz~849MHz)、Band8(880MHz~915MHz),,適用于亞洲,、北美、歐洲以及日本的WCDMA網(wǎng)絡(luò),。
圖1顯示了BA012Fx系列功放模塊的外型,,尺寸為3mm*3mm*1mm。最大輸出功率為670mW(28.25dBm),, 功率附加效率(PAE)為45%,,在同類功放產(chǎn)品中擁有最高等級(jí)的性能。該系列放大器內(nèi)部集成了(i)衰減器:用于改變功放的增益以及降低低輸入功率時(shí)的信噪比;(ii)耦合器:用于檢測(cè)輸出功率,。我們還在衰減電路中增加了相位控制功能,,在改變?cè)鲆鏁r(shí)可有效減少相位誤差。
圖1 BA012Fx系列功放的外形尺寸僅為3mm*3mm*1mm,。
目前,,手機(jī)功放通常采用切換通路的方式來提高中低輸出功率下的性能。但是提供通路切換功能的開關(guān)電路自身的損耗會(huì)降低整個(gè)功放的功率附加效率(PAE),。因此BA012Fx系列功放在末級(jí)輸出通路上沒有使用任何開關(guān)電路,,從而實(shí)現(xiàn)高輸出功率時(shí)高功率附加效率的目的。
圖2為數(shù)據(jù)卡功放的結(jié)構(gòu)框圖,。該功放模塊由兩級(jí)放大器和一個(gè)位于一級(jí)放大器與二級(jí)放大器之間的衰減器組成,。這樣的結(jié)構(gòu)可以降低在低增益模式下的噪聲系數(shù)。使用BiFET(雙極性場(chǎng)效應(yīng)管)作為衰減器是為了減少芯片的尺寸,,因?yàn)橥恍酒峡梢蕴峁〧ET開關(guān)電路,。因此芯片尺寸要比使用雙極性晶體管的開關(guān)電路小。采用三維電磁分析,,使線路布局更加合理,。使用了單步衰減電路,如圖3所示,。在高增益模式下,,F(xiàn)ET的SW1開啟,SW2關(guān)閉;射頻信號(hào)可以直接通過,,此時(shí)損耗最小,。在低增益模式下,F(xiàn)ET的SW1關(guān)閉SW2開啟,信號(hào)通過串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻后損耗了14dB,。為了補(bǔ)償衰減器在開關(guān)時(shí)的相位變化,,加入了串聯(lián)電容C1。
圖2:功率放大器架構(gòu)框圖,。

圖3:衰減器電路圖,。性能測(cè)試結(jié)果
根據(jù)上述設(shè)計(jì)描述,我們測(cè)試了三菱電機(jī)BA012F5(WCDMA Band 5)的性能,。調(diào)制信號(hào)為WCDMA(3GPP-R99),,應(yīng)用偏置電壓為3.4V 。圖4顯示了放大器的S參數(shù)測(cè)量結(jié)果,。增益步長為13dB,,當(dāng)衰減器打開時(shí),相位變化≤10°,。兩種模式下的輸入反射損耗(S11)小于-10dBc,。
圖4:放大器的S參數(shù)測(cè)量結(jié)果。
圖5顯示了ACLR與輸出功率等級(jí)的關(guān)系,。該放大器的最大輸出功率為28.25dBm,,線性增益為27dB,PAE為45%,,ACLR為-40dB,。相較于傳統(tǒng)的功放,PAE提高了5%左右,。
圖5:ACLR與輸出功率等級(jí)的關(guān)系,。
圖6顯示了耦合器的性能(VSWR2.5:1)。耦合系數(shù)變化小于0.6dB,。BA012Fx系列是針對(duì)Band1,、Band2、Band3,、Band5和Band8開發(fā)設(shè)計(jì)的。BA012Fx系列所有的功放都滿足PAE=45%,,ACLR=-40dBc,。
圖6:耦合器的性能(VSWR2.5:1)
本文小結(jié)
我們測(cè)試了三菱電機(jī)專用于數(shù)據(jù)卡的BA012Fx系列功放,本文對(duì)其電路和性能做了介紹,。該系列放大器采用了單步衰減電路來控制增益,,用相位補(bǔ)償電路來優(yōu)化增益改變時(shí)的相位變化。實(shí)現(xiàn)了最高等級(jí)45%的功率附加效率,,比傳統(tǒng)功放提高5%左右,。
圖7: 用于手機(jī)和數(shù)據(jù)卡的功放架構(gòu)框圖。