三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產品，這是自1999年三星將電力半導體廠拋售給快捷半導體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產品。據(jù)南韓電子新聞報導，三星2011年5月與三星綜合技術院組成電力芯片共同研究開發(fā)小組，才經過3個月時間，已完成制程技術研發(fā)，正以飛快的速度推動商業(yè)化。
　　
　　三星相關人員指出，三星已開發(fā)出電力芯片中需求驟增的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的生產制程技術，該制程安定化、磊晶成長、封裝等技術研發(fā)則仍在進行當中，預計2011年內可完成產品開發(fā)。三星計劃2012年第2季投入IGBT量產，并正式展開電力芯片事業(yè)。
　　
　　三星在研發(fā)制程技術的同時，為避免產生電力芯片相關專利紛爭，已事先取得快捷半導體及相關業(yè)者的交*授權。1999年面臨匯率危機和專利糾紛，成為三星決定終止電力芯片事業(yè)的主要原因。在三星決定重新展開電力芯片事業(yè)之余，將盡力避免重蹈覆轍。
　　
　　快捷半導體表示，無法對外透露相關詳情。三星將電力芯片事業(yè)拋售給快捷半導體，然近來IGBT相關業(yè)者已增加至10多間。
　　
　　三星將研究范圍擴大至氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等新原料。推估電力芯片事業(yè)將會成為非內存事業(yè)的一大軸心。IGBT為控制10A以上大電流的芯片原料，可應用在電動車、汽車、電梯等用電量較大的產品上，可控制流通或阻斷電流。2011年市場規(guī)模達9億美元。
　　
　　南韓業(yè)者指出，由于內存事業(yè)逐漸走下坡，三星將重心轉移到行動應用處理器、CMOS影像傳感器等系統(tǒng)LSI事業(yè)。三星的生產能力優(yōu)秀，若決定進入2011年全球市場規(guī)模達152億美元、每年出現(xiàn)11.5%高成長的電力芯片市場，成為市場核心的可能性破高。