德州儀器高溫 H.E.A.T. 評(píng)估板為苛刻高溫環(huán)境加速電子產(chǎn)品安全測(cè)試
2011-06-28
作者:德州儀器
日前,,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款高溫數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) — 苛刻環(huán)境采集終端 (H.E.A.T.) 評(píng)估板 (EVM),,其包含可滿足 -55ºC 至 210ºC 極端工作溫度要求的全系列 TI 信號(hào)鏈組件,。H.E.A.T. EVM 可用于測(cè)試高溫爐,能夠在高達(dá) 200ºC 的爐溫下工作長(zhǎng)達(dá) 200 小時(shí),。該產(chǎn)品支持 8 個(gè)模擬數(shù)據(jù)通道,,可在苛刻高溫環(huán)境下實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用的信號(hào)調(diào)節(jié)、數(shù)字化及處理,,充分滿足井下鉆孔,、噴射引擎以及重工業(yè)應(yīng)用需求。
利用H.E.A.T. EVM,,客戶無(wú)需對(duì)工業(yè)級(jí)組件超出數(shù)據(jù)表溫度規(guī)范之外的器件進(jìn)行昂貴的篩選認(rèn)證測(cè)試,。該工具有助于制造商快速安全地采用符合苛刻環(huán)境要求的組件進(jìn)行應(yīng)用開(kāi)發(fā),將開(kāi)發(fā),、測(cè)試與認(rèn)證時(shí)間銳減長(zhǎng)達(dá)一年,。如欲了解 H.E.A.T. EVM 詳情或訂購(gòu),敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn):www.ti.com.cn/heat-pr,。
H.E.A.T. EVM 的主要特性與優(yōu)勢(shì)
•針對(duì)溫度,、壓力傳感器及加速器優(yōu)化的 6 個(gè)通道,加上 2 個(gè)通用通道(全差動(dòng)和單端),;
•全系列組件符合 -55ºC 至 210ºC 工作溫度范圍要求,,可確保至少 1000 小時(shí)的工作時(shí)間:
oADS1278-HT — 8 通道同步采樣 24 位 128 KSPS ADC;
oSM470R1B1M-HT — ARM7 微處理器,;
oOPA211-HT — 低噪聲高精度運(yùn)算放大器,;
oOPA2333-HT — 低功耗零漂移串行運(yùn)算放大器;
oINA333-HT — 零漂移低功耗單電源儀表放大器,;
oTHS4521-HT — 低功耗全差動(dòng)放大器,;
oREF5025-HT — 2.5 V 高精度電壓參考;
oSN65HVD233-HT — CAN 收發(fā)器,;
oSN65HVD11-HT — RS-485 收發(fā)器,。
•EVM 采用聚酰亞胺材料制造,整合了高溫額定無(wú)源組件與高溫焊接材料,,可測(cè)試高溫爐,,在高達(dá) 200°C 的溫度下工作長(zhǎng)達(dá) 200 小時(shí)。
工具與供貨情況
H.E.A.T. EVM 是 TI 高溫,、高可靠環(huán)境全系列模擬與嵌入式處理產(chǎn)品的有力補(bǔ)充,。該電路板可立即訂購(gòu)。
H.E.A.T. EVM 用戶指南現(xiàn)已可供下載,,主要介紹硬件與通道配置等的初始化與校準(zhǔn),。
H.E.A.T. EVM 中的所有單個(gè)高溫半導(dǎo)體組件均采用高溫陶瓷封裝與確優(yōu)裸片 (KGD) 封裝,支持業(yè)界最小的封裝集成,。
了解有關(guān) TI H.E.A.T. EVM 與高溫產(chǎn)品系列的更多詳情:
•了解更多詳情,,訂購(gòu) H.E.A.T. EVM:www.ti.com.cn/heat-pr;
•深入了解 TI 全系列高溫 IC 及相關(guān)系統(tǒng)方框圖:http://focus.ti.com.cn/cn/hirel/docs/prodcateglanding.tsp?sectionId=605 ,;
•下載 TI 高溫產(chǎn)品指南:http://focus.ti.com.cn/cn/lit/sg/sgzt009/sgzt009.pdf ,;
•通過(guò) TI E2E™模擬技術(shù)討論社區(qū)與同行工程師互動(dòng)交流,咨詢問(wèn)題,、共享知識(shí),,并幫助解決技術(shù)難題:http://e2e.ti.com/cn/forums/default.aspx?GroupID=10 。
商標(biāo)
TI E2E 是德州儀器的商標(biāo),。所有注冊(cè)商標(biāo)與其它商標(biāo)均歸其各自所有者所有,。