《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Ramtron出貨首批使用新IBM生產(chǎn)線制造的

2011-06-21
作者:Ramtron
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 F-RAM 低功耗

  世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布,,現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預(yù)驗(yàn)證鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)樣片,。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品,這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲(chǔ)存解決方案,。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲(chǔ)性能、無(wú)延遲(NoDelay™)寫入,、高讀/寫耐用性及低功耗特性,。
  
  Ramtron公司首席執(zhí)行官 Eric Balzer稱:“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務(wù)項(xiàng)目的重要里程碑。這些預(yù)驗(yàn)證芯片符合所有數(shù)據(jù)表規(guī)范和公司嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求,,現(xiàn)在這批樣片可以提供給客戶做產(chǎn)品評(píng)測(cè),。在測(cè)試完成后,我們將會(huì)提供其它樣片,,包括3V I2C和3V及5V SPI產(chǎn)品,。”
  
  FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口,工作電流為100µA(100kHz下典型值),,總線運(yùn)行頻率最高可達(dá)1MHz,。這些器件適用于工業(yè)控制、計(jì)量,、醫(yī)療,、軍事、游戲和計(jì)算應(yīng)用及其它領(lǐng)域,,可作為4和16Kb串行EEPROM存儲(chǔ)器的直接替代產(chǎn)品,。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,,工作溫度范圍是工業(yè)級(jí)的-40°C至+85°C。
  
  Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節(jié)寫入速度比EEPROM快200倍,。此外,,相比記錄新數(shù)據(jù)之前需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件,這些器件具有無(wú)延遲特性,,能夠以標(biāo)準(zhǔn)總線速度寫入,。FM24C04C和FM24C16C具有1萬(wàn)億個(gè)寫入周期,而EEPROM只有100萬(wàn)個(gè)寫入周期,。相比同類非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品,,它們具有極低的工作電流。
  
關(guān)于IBM/Ramtron代工合作關(guān)系
  
  2009年年初Ramtron和IBM達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議,,IBM在其位于美國(guó)佛蒙特(Vermont)州Burlington的先進(jìn)晶圓生產(chǎn)設(shè)施中部署Ramtron的F-RAM半導(dǎo)體工藝技術(shù),。Ramtron的專有F-RAM技術(shù)堆棧已經(jīng)整合到IBM的 0.18微米CMOS工藝中,用于生產(chǎn)Ramtron的標(biāo)志性高性能非易失性F-RAM產(chǎn)品,。IBM擁有世界級(jí)代工服務(wù),,為Ramtron現(xiàn)有產(chǎn)品及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)計(jì)劃提供了具有成本效益的靈活制造平臺(tái)。
  
關(guān)于Ramtron公司和F-RAM技術(shù)
  
  Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)公司總部設(shè)在美國(guó)科羅拉多州科羅拉多斯普林斯,,是一家無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司,,設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和銷售用于世界范圍之廣泛產(chǎn)品應(yīng)用及市場(chǎng)的專業(yè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和集成半導(dǎo)體解決方案,。
  
  Ramtron是在半導(dǎo)體產(chǎn)品中采用鐵電材料的先驅(qū)企業(yè),,開(kāi)發(fā)了新類型非易失性存儲(chǔ)器,稱作鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器即F-RAM,。Ramtron的鐵電存儲(chǔ)器結(jié)合了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 的高速度和非易失性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存特性,,即無(wú)電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力。自從這項(xiàng)技術(shù)商業(yè)化以來(lái),,Ramtron已經(jīng)在嚴(yán)苛的應(yīng)用領(lǐng)域銷售了數(shù)億個(gè)F-RAM器件,包括汽車安全和娛樂(lè)系統(tǒng),、便攜式醫(yī)療設(shè)備,、工業(yè)過(guò)程控制系統(tǒng)、智能電表和消費(fèi)打印機(jī)墨盒,。F-RAM技術(shù)是市場(chǎng)上功效最高的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),,有望為超高效電池供電產(chǎn)品和能量收集應(yīng)用的開(kāi)發(fā)鋪平道路。要了解更多的信息,,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.ramtron.com,。
  
安全規(guī)避聲明
  
  以下為依照美國(guó)私人證券法1995年修訂案規(guī)定而發(fā)出的“安全規(guī)避”聲明:本文中所有還不是歷史事實(shí)的聲明均為“前瞻性聲明”,這些“前瞻性聲明”可能涉及風(fēng)險(xiǎn),、不確定性和假設(shè),,而實(shí)際的結(jié)果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預(yù)計(jì)結(jié)果出現(xiàn)重大的差異,。如要探討這些風(fēng)險(xiǎn),請(qǐng)參考Ramtron提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)的文件,。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的,,Ramtron明確表示沒(méi)有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務(wù)或職責(zé)。
 

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