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關于提升LED背光系統(tǒng)的中壓升壓轉換器效率分析
電子工程專輯
飛兆半導體公司 Charlie Wang
摘要: LEDTV背光應用需要24VDC輸入、180VDC0.4A輸出升壓轉換器,,相比前面提到的低電壓和高電壓范圍升壓轉換器,,這類中等電壓升壓轉換器很少用于消費電子產品。在這種電壓和額定功率值范圍中,,傳導損耗,、開關損耗和抗噪聲能力均需予以考慮,,很難找到一款適合的較廉價的器件。
Abstract:
Key words :

  低電壓范圍升壓轉換器通常用于移動設備,,以便將電池電壓(1.2V 至4.2V)提升到較高的電壓水平(如1.5至20V),,從而為應用電路供電。在這個電壓范圍里,,傳導損耗是主要的考慮因素,。市面上存在許多專門設計用于這些應用的器件,連續(xù)傳導模式(CCM)是這些器件的主要工作模式,。

  高電壓范圍升壓轉換器通常用作具有90V至270V AC輸入和約400V DC輸出的PFC轉換器,,在這些應用中,傳導損耗并不像在低電壓升壓轉換器中那么重要,,需要更多地考慮開關損耗和抗噪聲能力,。因而PFC控制器通常采用某些特別的設計要素如臨界導通 (CRM)工作模式、更高的電流感測電壓,。PFC控制器由于市場巨大而被廣泛使用,。

  LED TV背光應用需要24V DC輸入、 180V DC 0.4A輸出升壓轉換器,,相比前面提到的低電壓和高電壓范圍升壓轉換器,,這類中等電壓升壓轉換器很少用于消費電子產品。在這種電壓和額定功率值范圍中,,傳導損耗,、開關損耗和抗噪聲能力均需予以考慮,很難找到一款適合的較廉價的器件,。

  拓撲和器件選擇考慮事項

  在設計消費產品解決方案時,,始終需要避免使用昂貴的拓撲和器件,。而且,,由于DC輸入節(jié)點和輸出節(jié)點(LED陣列)均位于次級端,因而LED背光照明級無需進行隔離,。即便我們還有軟開關諧振半/全橋拓撲等其它選擇,,升壓(boost)拓撲是LED TV背光照明電源應用的最佳核心拓撲。

  考慮到用于移動設備的升壓控制器具有高PWM頻率 (通常為500 KHz 至6MHz)和低噪聲兼容性(電壓模式或低電流感測電壓),。用于AC/DC電源的PWM控制器似乎更合適,,因其具有高柵極驅動電壓 (超過10V)和高電流感測電壓(通常為0.5V-1.2V)。但是,,大多數(shù) AC/DC PWM控制器的工作頻率為50 kHz至100 kHz,。這種頻率范圍對于90-270VAC輸入的電源是合適的,因為它能夠平衡開關損耗和電感元件尺寸,。不過,,對于24VDC輸入電源,,該頻率有些低,因為低工作頻率需要使用大電感器,。

  CRM PFC控制器是最佳的選擇,,因為它不僅具備AC/DC PWM控制器的優(yōu)勢(高柵極驅動電壓和高電流感測電壓),還能夠通過選擇電感將工作頻率設置為最佳數(shù)值(200 kHz),。即便CRM PFC控制器的反饋回路在電壓模式下工作,,但是其鋸齒波發(fā)生器和比較器內置在芯片中,并具有足夠大的振幅,。因而,,在噪聲兼容性方面不會出現(xiàn)問題。

  提高效率

  使用標準CRM PFC控制器來實現(xiàn)升壓轉換器,,因為具有相對較低的輸入/輸出電壓和臨界導通模式工作方式,,開關損耗并不是問題,其問題在于傳導損耗,。圖1所示為升壓轉換器中的主要傳導損耗來源,。

  低電壓范圍升壓轉換器通常用于移動設備,以便將電池電壓(1.2V 至4.2V)提升到較高的電壓水平(如1.5至20V),,從而為應用電路供電,。在這個電壓范圍里,傳導損耗是主要的考慮因素,。市面上存在許多專門設計用于這些應用的器件,,連續(xù)傳導模式(CCM)是這些器件的主要工作模式。

  高電壓范圍升壓轉換器通常用作具有90V至270V AC輸入和約400V DC輸出的PFC轉換器,,在這些應用中,,傳導損耗并不像在低電壓升壓轉換器中那么重要,需要更多地考慮開關損耗和抗噪聲能力,。因而PFC控制器通常采用某些特別的設計要素如臨界導通 (CRM)工作模式,、更高的電流感測電壓。PFC控制器由于市場巨大而被廣泛使用,。

  LED TV背光應用需要24V DC輸入,、 180V DC 0.4A輸出升壓轉換器,相比前面提到的低電壓和高電壓范圍升壓轉換器,,這類中等電壓升壓轉換器很少用于消費電子產品,。在這種電壓和額定功率值范圍中,傳導損耗,、開關損耗和抗噪聲能力均需予以考慮,,很難找到一款適合的較廉價的器件。

  拓撲和器件選擇考慮事項

  在設計消費產品解決方案時,始終需要避免使用昂貴的拓撲和器件,。而且,,由于DC輸入節(jié)點和輸出節(jié)點(LED陣列)均位于次級端,因而LED背光照明級無需進行隔離,。即便我們還有軟開關諧振半/全橋拓撲等其它選擇,,升壓(boost)拓撲是LED TV背光照明電源應用的最佳核心拓撲。

  考慮到用于移動設備的升壓控制器具有高PWM頻率 (通常為500 KHz 至6MHz)和低噪聲兼容性(電壓模式或低電流感測電壓),。用于AC/DC電源的PWM控制器似乎更合適,,因其具有高柵極驅動電壓 (超過10V)和高電流感測電壓(通常為0.5V-1.2V)。但是,,大多數(shù) AC/DC PWM控制器的工作頻率為50 kHz至100 kHz,。這種頻率范圍對于90-270VAC輸入的電源是合適的,因為它能夠平衡開關損耗和電感元件尺寸,。不過,,對于24VDC輸入電源,該頻率有些低,,因為低工作頻率需要使用大電感器,。

  CRM PFC控制器是最佳的選擇,因為它不僅具備AC/DC PWM控制器的優(yōu)勢(高柵極驅動電壓和高電流感測電壓),,還能夠通過選擇電感將工作頻率設置為最佳數(shù)值(200 kHz),。即便CRM PFC控制器的反饋回路在電壓模式下工作,但是其鋸齒波發(fā)生器和比較器內置在芯片中,,并具有足夠大的振幅,。因而,在噪聲兼容性方面不會出現(xiàn)問題,。

  提高效率

  使用標準CRM PFC控制器來實現(xiàn)升壓轉換器,,因為具有相對較低的輸入/輸出電壓和臨界導通模式工作方式,開關損耗并不是問題,,其問題在于傳導損耗,。圖1所示為升壓轉換器中的主要傳導損耗來源。

  我們可以看到導通期間的傳導損耗來自于Rsense,、Rdson和Rcoil,,本文不討論減小Rcoil的方法,,下面將分別探討如何減小Rsense和Rdson,。

  在PFC應用中,Rsense值由最大額定功率來決定,,在出現(xiàn)異常過流情況時,,Rsense上的電壓應當達到逐脈沖限流電平(Vcslim),需要保留 10% 的余量范圍,因而可由下式計算Rsense :

  對于本文探討的應用,,我們同樣應當遵循這個公式,。Rsense的功耗為:

  因而得到:

  我們可以看到Rsense的功耗與Vcslim成比例。標準PFC控制器的Vcslim約為0.5V至1.2V,,以期避免噪聲帶來的錯誤觸發(fā),。在FAN7930CM 中Vcslim為0.8V。因為輸入電壓相對較高,,而IQRMS相對較低,,這個數(shù)值對于PFC應用是合適的。但對于24V輸入應用,,這一電壓太高,,使得PRsense 過大。例如,,我們使用飛兆半導體公司提供的設計工具,,計算72W PFC (90VAC輸入、400V/0.18A輸出)的Rsense的功耗,。我們得到結果:Rsense = 0.289Ω,,Rsense的功耗為0.22W。然后得出Rsense上的效率損失為0.22/72×100%=0.31%,,如果我們使用相同的設計工具,,計算具有24V輸入、180V/0.4A輸出的72W PFC控制器,,其結果為:Rsense = 0.077Ω,,Rsense的功耗為0.96W,因而效率損失為0.96/72×100%=1.33%,,相比90VAC輸入狀況高出三倍,。

  為了減小Rsense的功耗,我們設計了如圖2所示的“電壓墊高(Voltage block up)”電路,,使用分壓器R1和 R2在Vrs和Vsense引腳之間引入一個電壓差,,通過這個電壓差,Vsense能夠以較低的Rsense電壓來達到 Vcslim,。

  在圖3中,, 我們可以看到通過增添R1和R2,即便Rsense上的電壓降比Vcslim低很多,,Vsense也能夠達到(Vcslim/1.1)水平,。這樣可以降低Rsense的功耗。例如,,在不使用R1和R2的情況下,,如果Rsense為0.077Ω,,當Ipk=10.39A,Vsense則為0.8V,。如果Vgate=11V,,R1=10KΩ,R2=400Ω,,Rsense=0.0375Ω,,當Ipk=10.39A,Vsense也可達到0.8V,。但是,,如果Rsense=0.0375Ω,Rsense的功耗則為0.47W,,效率損失為0.47/72×100%=0.65%,,相對于使用0.77Ω Rsense,效率則可以提高0.68%,。

  在MOSFET晶片尺寸和封裝相同的情況下,,如果Vdss增加,MOSFET 的Rdson會增大,。例如,,飛兆100V MOS器件FDD86102的Rdson 為24 mΩ。但是對于具有相同封裝和價格的 250V MOS器件FQD16N25C,,Rdson為270 mΩ,。MOSFET器件的傳導損耗在24mΩ和270 mΩ條件下的差別很大,我們使用相同設計工具計算了24VAC輸入,、 180V/0.4A輸出PFC轉換器Rdson的傳導損耗,。其數(shù)值分別是0.9W和10.08W。顯然,,270 mΩ Rdson是不可接受的,。在標準升壓拓撲中,為了提供180V輸出電壓,,需要使用250V MOSFET以獲得足夠的Vdss余量,。在這種情況下,減小傳導損耗的標準途徑是選擇一個Rdson較低的MOSFET器件,。不過,,在相同Vdss下,Rdson較低的MOSFET器件不僅昂貴,,而且具有較大的Coss,。較大的Coss意味著較大的關斷損耗。這里,,我們找到了另一種減小傳導損耗的方法,。就是使用100V MOSFET器件如FDD86102,,將24V電壓提升到180V,,當然,,必須采用特殊的方法解決電壓問題,如自耦變壓器,。

圖4

  圖4所示為使用自耦變壓器替代電感器的升壓轉換器,,在導通期間,電流流經(jīng)紅色的路徑就象標準升壓轉換器的一樣,,而在關斷期間,,電流則經(jīng)過綠色路徑。MOSFET漏極上的電壓為:

  如果我們輸入 N1=3T, N2=7T, Vdiode=1V, Vout=180V, Vin=24V, 則Vd為:

  因而可以使用100V MOSFET器件,。

  設計示例和測試結果

圖5:所示為飛兆半導體用于LED背光照明電源的評估電路板的示意圖,。

  U4, Q35, T3, D36和外部元件構成了這個升壓轉換器,繞組6-10用于實現(xiàn)零電流檢測(ZCD),,D37, C42, R39, R40具有兩項功能,,一項功能是作為箝位線路,吸收N1和N2之間的泄漏電感引起的電壓脈沖,,另一項功能是監(jiān)視Q35的漏極電壓,,反饋至U4的引腳1,實現(xiàn)過電壓保護,。

圖6

圖7

  圖6是評估電路板頂部,、底部和側面照片。我們可以看到,,增添R38,,效率提高了1.09%。圖7是使用/不使用Vrsense 電壓墊高電路(R38)的波形差別示意圖,。表2是使用/不使用自耦變壓器的結果比較,。如果不使用自耦變壓器,應當去掉D37,,將D37的陰極連接到24V Vin,。我們可以看到使用自耦變壓器,效率提高了14.06%,,圖8所示為波形比較,。

表1:使用/不使用Vrsense電壓墊高電路(R38)的結果比較

表2:使用/不使用自耦變壓器的結果比較

圖8

  本文小結

  標準CRM PFC控制器就其特性、通用性和低價格而言,,適用于中等電壓升壓轉換器,。傳導損耗是其應用的主要挑戰(zhàn)。采用電壓墊高電路能夠降低Rsense所需的峰值電壓以期提升轉換器的效率,。在升壓轉換器中采用自耦變壓器,,允許使用低Vdss MOSFET器件以減小Rdson,,從而顯著提升效率。評估電路板的測試結果證實這一思路是可行的,。

  

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