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Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

創(chuàng)新的元器件為各種應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標準
2011-05-18
作者:Vishay公司
關(guān)鍵詞: 電阻 電容器 電感器

    賓夕法尼亞,、MALVERN — 2011 年 5 月 18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品,。這些元器件具有業(yè)界領(lǐng)先的規(guī)格標準,,如導(dǎo)通電阻,、導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM),、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示,,是許多關(guān)鍵應(yīng)用的上佳之選,,也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。
 

2011年的Super 12產(chǎn)品如下:
    • 146 CTI SMD極化鋁電容器——對于汽車應(yīng)用,,通過AEC-Q200認證的146 CTI電容器兼具+125℃的高溫性能,、低至0.035Ω的ESR,及在+125℃下長達6000小時的使用壽命,。器件具有從10mmx10mm至18mmx21mm共8種外形尺寸,。
 • SiR662DP 60 V N溝道功率MOSFET——在采用PowerPAK® SO-8型封裝的60V器件當中,SiR662DP具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(FOM),。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻為3.5mΩ,,比最接近的器件低27%,在4.5V下的FOM為105mΩ-nC,,比最接近的器件低57%,。
 • IHLP®-6767GZ-51功率電感器——IHLP-6767GZ-51是目前市場上具有最高的溫度范圍(高達+155℃)和最高電流等級的表面貼裝功率電感器,。器件的頻率范圍高達750kHz,,典型DCR低至0.89mΩ,,感值低至0.47μH。
 • 45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器——除P600軸向,、功率TO-220AB,、ITO-220AB、TO-262AA和TO263AB封裝外,,Vishay的45V TMBS整流器還具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封裝,。器件在15A和+125℃條件下具有0.39V的正向電壓,最高工作結(jié)溫可達+150℃,。
 • ACAS AT薄膜芯片電阻陣列——Vishay的ACAS AT電阻陣列通過了AEC-Q200認證,,在單片封裝內(nèi)具有精度相互匹配的電阻,可用于分壓器和反饋電路,。器件每個電阻的功率等級(P70)高達125mW,,潮濕敏感度低于0.5%(85℃;85%RH,;56天),,TCR跟蹤低至10ppm/K (±5 ppm/K)。
 • VCNL4000全集成型接近/環(huán)境光傳感器——VCNL4000是業(yè)內(nèi)首款將紅外發(fā)射器,、光敏PIN二極管,、環(huán)境光探測器、信號處理IC和16位ADC裝進3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸無引線(LLP)表面貼裝封裝內(nèi)的環(huán)境光傳感器,。這款器件具有占用空間小的特點,,并且具有易用的I2C總線通信接口,在各種各樣的消費和工業(yè)應(yīng)用中能夠大大簡化設(shè)計,。
 • NTC Mini Lug傳感器——Vishay的Mini Lug NTC傳感器只需要業(yè)內(nèi)最小的65mm2 / 0.1in2安裝空間,,響應(yīng)時間小于4秒,能夠快速和準確地測量-40℃~+125℃范圍內(nèi)的溫度,。
 • DG9454三端SPDT(2:1復(fù)用器)——DG9454為3D快門式眼鏡進行了優(yōu)化,,在2.7V~12V的V+和2.5V~+5.5V的VL工作電壓范圍內(nèi)可確保兼容1.8V的邏輯電平,小于1µA的功耗能夠大大延長電池壽命,。
 • TP3TANTAMOUNT®模壓外殼SMD電容器——汽車級的TP3具有牢固的結(jié)構(gòu)和低ESR,,適用于引擎控制和安全系統(tǒng)。電容器經(jīng)過了100%的浪涌電流測試,,提供業(yè)界標準的A~E外形尺寸,,以及擴大了容值和電壓范圍的新的W外形尺寸。
 • 600V FRED Pt超快恢復(fù)二極管——對于DCM,、CRM和CCM PFC應(yīng)用,,Vishay的600V超快恢復(fù)二極管能夠提供豐富多樣的功率封裝和高達+175℃的工作結(jié)溫,可實現(xiàn)更穩(wěn)固和更具性價比的設(shè)計方案,。器件具有極低的泄漏電流,、正向電壓等級,以及Qrr和Trr,。新的“U”系列采用了特殊設(shè)計,,具有超快的軟恢復(fù)時間。
 • WSLP,、WSLT,、WSLS和WSH Power Metal Strip®電阻——Vishay的Power Metal Strip電阻為檢流和脈沖應(yīng)用提供了增強的功率處理能力和環(huán)境性能。WSLT電阻可在+275℃溫度下工作,。采用1206和2818外形尺寸的WSLP和WSH電阻分別具有高達1W和5W的功率,。WSLS具有更好的穩(wěn)定性,可達0.25%和0.5%,。
 • SiZ730DT非對稱雙芯片功率MOSFET——SiZ730DT將高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸6mmx3.7mm的PowerPAIR封裝內(nèi),,這種封裝比兩片分立的PowerPAK 1212-8封裝小1/3,比兩片分立的SO-8封裝小2/3,,從而節(jié)省空間并提高性能,。此外,器件的非對稱設(shè)計使導(dǎo)通電阻比使用PowerPAK 1212-8封裝的低邊MOSFET低30%,。
 欲了解有關(guān)Vishay的Super 12產(chǎn)品的更多信息,,請訪問http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 。

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