近日,，英飛凌(Infineon)科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布,，其研發(fā)的第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)設備的射頻發(fā)射器件SMARTi LU已可以向客戶提供樣片。SMARTi LU作為一顆采用65nm技術(shù)CMOS工藝的單芯片射頻發(fā)射器件,，能夠全面滿足2G/3G/LTE各項射頻功能,，其配置的DigRF數(shù)字接口能夠與基帶芯片直接連接，以充分達到LTE網(wǎng)絡所要求的最高150兆比特每秒的網(wǎng)絡傳輸速率,。
與此同時,，英飛凌在其久負盛名的3G射頻發(fā)射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新產(chǎn)品：SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro為超低端3G終端進行了專門的產(chǎn)品優(yōu)化,，采用該器件后,，雙波段WCAMA/EDGE終端設備的電子射頻器件成本可以降低到6.50美元之下。這與目前市場上現(xiàn)有方案相比,，成本上有超過40%的下降,。
SMARTi LU是一顆符合3GPP Rel.7和Rel.8規(guī)范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射頻發(fā)射器件,。這顆芯片在支持四波段GSM/EDGE的同時,，還可以同時支持六個3G和LTE波段。在該芯片豐富的功能列表中,，包括LTE FDD class 5(下行速率最大可達150兆比特每秒,，上行速率最大可達50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(兩個下行+一個上行),、HSPA+,、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE,。該芯片如此廣泛的射頻波段支持能力,，使其能夠極好地與全球HSPA/LTE網(wǎng)絡無縫配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4標準的數(shù)字基帶芯片接口,，為手機系統(tǒng)設計“全數(shù)字化”樹立了一個新的里程碑,，使得基帶芯片設計向進一步集成化、向32nm或更精密半導體技術(shù)前進提供了保障,。SMARTi LU基于全球主要半導體生產(chǎn)廠商共同遵循的65nm生產(chǎn)工藝,，樣片和性能測試報告計劃在今年巴塞羅那全球無線大會上全面展示。