低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動DRAM領域中的主要技術,，預計到今年第二季度將占據(jù)40%的份額，高于第一季度的31%,。大部分移動DRAM市場仍然由較舊的LPDDR1技術控制,，但時間不會太長了,。

    到今年第四季度，情況將會發(fā)生改變,，屆時LLPDDR2將首次取得優(yōu)勢,，控制58%的市場份額，如圖4所示,。

    移動DRAM曾經(jīng)是DRAM市場中的一潭死水,，但現(xiàn)在三星、海力士半導體,、爾必達和美光等重要廠商正在向這個領域投入更多的工程與開發(fā)努力,。不同于標準DRAM，移動DRAM功耗較低,、發(fā)熱較少而且占用的空間較小,，特別適合智能手機和其它小型電子產(chǎn)品。這些產(chǎn)品都需要更強的計算能力和更小的占用空間,。移動DRAM也用于數(shù)碼相機,、便攜媒體播放器、便攜游戲產(chǎn)品和平板電腦,。

    移動DRAM面臨的一個主要挑戰(zhàn),，是其性能能否滿足未來產(chǎn)品的要求。雖然LPDDR2現(xiàn)在對于手機和平板電腦來說已足夠,，但功耗和寬帶問題仍然令人關注,。

    例如，工作電壓為1.2V的時候,，LPDDR2在每次數(shù)據(jù)傳輸中可以比LPDDR1節(jié)省50%左右的功耗,。但是，如果未來設備的數(shù)據(jù)傳輸量是目前的10倍——很快就會達到這樣的水平,，則LPDDR2將根本無法滿足要求,。

    LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB，而LPDDR1只有1066MHz,，這點也很突出,。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產(chǎn)品。智能和機廠商的反饋顯示,，需要數(shù)據(jù)率高達每秒12.8GB,，這將要求LPDDR2把時鐘頻率提高到800MHz，而IHS公司認為這似乎不太可行,。

下一步是什么,？

    由于LPDDR2可能達到性能極限，并很快無力滿足更高的要求，幾種移動DRAM技術正在爭取人們的關注,，試圖取而代之,，如表1所示。

    目前處于前列的包括：Rambus公司的移動XDR,；SPMT聯(lián)盟開發(fā)的串行端口內(nèi)存技術,，準備充當免授權費的內(nèi)存接口。

    其它移動DRAM技術包括Wide I/O,，聲稱要在硅片層面連接DRAM內(nèi)核,，但不一定是移動技術；LPDDR3,，其參數(shù)仍然未定,；DDR4，一種標準DRAM,，在2013年以前可能不會面世,。