《電子技術(shù)應(yīng)用》
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一種高精度測(cè)量微小電容的電路
山西電子技術(shù)
邵學(xué)濤,李新娥 中北大學(xué)
摘要: 提出了一種高精度,、低成本的電容的測(cè)量方法,。該方法采用差動(dòng)式直流充電法測(cè)量微小電容,具有功耗低,、體積小,、分辨率高、刷新率高的特點(diǎn),。
Abstract:
Key words :

摘要:提出了一種高精度,、低成本的電容測(cè)量方法。該方法采用差動(dòng)式直流充電法測(cè)量微小電容,,具有功耗低,、體積小、分辨率高,、刷新率高的特點(diǎn),。同時(shí)詳細(xì)闡述了測(cè)量電路的基本原理、具體實(shí)現(xiàn),,并且通過(guò)測(cè)量固定電容驗(yàn)證了電路的性能,。
關(guān)鍵詞:電容傳感器;差動(dòng)式測(cè)量,;直流充電

0 引言
    電容式傳感器是將被測(cè)量的變化轉(zhuǎn)換成電容量變化的一種裝置,。電容式傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、分辨力高,、工作可靠,、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、可非接觸測(cè)量,,及能在高溫,、輻射和強(qiáng)烈振動(dòng)等惡劣條件下工作等優(yōu)點(diǎn),并且已在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,。
    微小電容測(cè)量電路必須滿足動(dòng)態(tài)范圍大,、測(cè)量靈敏度高、低噪聲,、抗雜散性等要求,。電容式傳感器輸出的電容信號(hào)往往很小(1fF~10 pF),又存在傳感器及其連接導(dǎo)線雜散電容和寄生電容的影響,,這對(duì)電容信號(hào)的測(cè)量電路提出了非常高的要求,,如此微小的電容信號(hào)的測(cè)量成為電容式傳感器技術(shù)發(fā)展的瓶頸。
    本文提出一種恒流源充電法對(duì)兩個(gè)微小電容進(jìn)行充電檢測(cè)的方法。本設(shè)計(jì)僅由單片機(jī)和少數(shù)芯片即可以實(shí)現(xiàn)電容的高精度,,高頻率測(cè)量,。由于采用了差動(dòng)式測(cè)量,本設(shè)計(jì)可以有效地減小非線性誤差,,提高傳感器靈敏度,,減少干擾,減少寄生電容的影響,。若選用高性能模擬開(kāi)關(guān)能大大減小電荷注入效應(yīng)的影響,。在檢測(cè)0~5 pF的實(shí)驗(yàn)中,采樣頻率可以達(dá)到100 kHz,,有效精度位最高可達(dá)12位,。

1 原理分析
    實(shí)現(xiàn)測(cè)量的電路原理如圖1所示,其完整的測(cè)量過(guò)程是:?jiǎn)纹瑱C(jī)控制模擬開(kāi)關(guān)K1,,K2斷路,,標(biāo)準(zhǔn)電容Cl和待測(cè)電容C2由相同的兩個(gè)恒流源I1和I2進(jìn)行充電;在相同的時(shí)間T1內(nèi),,電容C1,、C2的充電電壓為U1、U2,。由電容基本公式b.JPG可得:
    c.JPG

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    令△U=U1-U2,,則電壓差△U經(jīng)過(guò)放大后,通過(guò)MSP430單片機(jī)的AD轉(zhuǎn)換模塊進(jìn)行轉(zhuǎn)換,,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的同時(shí),,單片機(jī)控制K1、K2閉合,,在T2時(shí)間內(nèi),,使C1,C2兩端的短路,,兩電容兩端電壓降到零,,此時(shí)完成放電過(guò)程。
    至此,,一次完整的采樣過(guò)程結(jié)束,,充放電時(shí)序見(jiàn)圖2。

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    在整個(gè)過(guò)程中,,單片機(jī)要產(chǎn)生一個(gè)頻率為100 kHz,,占空比為90%的PWM波,用以控制K1,、K2的通斷,,還要以(T1+T2)的周期完成AD變換和數(shù)據(jù)存儲(chǔ),。其中,,T1的最大值小于充電時(shí)間,,T2的最小值大于放電時(shí)間。

2 硬件設(shè)計(jì)
2.1 恒流源的設(shè)計(jì)
    恒流源是整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)模擬部分的重要組成部分,,其穩(wěn)定性直接決定了系統(tǒng)測(cè)量的精度,。本設(shè)計(jì)中的兩個(gè)恒流源要求輸出電流相等,具體設(shè)計(jì)如圖3,。

e.JPG

   f.JPG

    因Vi是采用單片機(jī)AD轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)電壓1.5 V,,UL≤1.5 V,故n值,、RL與Rs的比值,,直接影響恒流源電流的輸出,只要保證UL小于1.5 V時(shí),,該電路輸出電流為恒定值,,與負(fù)載電阻RL沒(méi)有關(guān)系。


2.2 放大電路的設(shè)計(jì)
    放大電路采用以儀表放大器INA128為核心的儀表放大器,。該放大器在放大100倍時(shí)帶寬可達(dá)200 kHz,,完全滿足了設(shè)計(jì)的要求。
    C1和C2兩個(gè)電容由相應(yīng)的恒流源在相同的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行充電,,兩電容充電電壓差由INA128進(jìn)行放大,,并送入單片機(jī)進(jìn)行采樣存儲(chǔ)。圖4為充放電標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)與INA128放大后的結(jié)果,。

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3 軟件設(shè)計(jì)
    為實(shí)現(xiàn)低功耗,,系統(tǒng)接入電源后進(jìn)入低功耗狀態(tài),需要外部電平信號(hào)才能喚醒,。為了避免系統(tǒng)的誤開(kāi)始測(cè)量,,當(dāng)需要測(cè)量電容信號(hào)時(shí),將觸發(fā)信號(hào)置高,,如果20 s內(nèi)觸發(fā)信號(hào)一直置高,,則系統(tǒng)進(jìn)入循環(huán)采集存儲(chǔ)狀態(tài)。為得到包括觸發(fā)前和觸發(fā)后的完整電容信號(hào)曲線,,一旦電容信號(hào)達(dá)到預(yù)設(shè)的觸發(fā)值,,系統(tǒng)便進(jìn)入觸發(fā)態(tài),將電容信號(hào)存儲(chǔ)到閃存,,閃存存滿后,,將RAM中的FIFO數(shù)據(jù)導(dǎo)入閃存預(yù)留地址。之后,,系統(tǒng)進(jìn)入待讀數(shù)態(tài),,此時(shí)插上USB接口,,接收到計(jì)算機(jī)的讀數(shù)命令之后即可將數(shù)據(jù)發(fā)送至計(jì)算機(jī),并且在第一次讀取數(shù)據(jù)之后和掉電以后再上電可重復(fù)無(wú)數(shù)次讀取并顯示測(cè)量結(jié)果,。系統(tǒng)的狀態(tài)設(shè)計(jì)如圖5,。

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    為實(shí)現(xiàn)低功耗的系統(tǒng),電路不工作時(shí),,即接通電源態(tài)和待讀數(shù)態(tài),,系統(tǒng)處于值更狀態(tài)、超低功耗態(tài)LPM4,;工作時(shí)都處于全功耗態(tài),。

4 測(cè)量結(jié)果
    傳感器的標(biāo)定就是通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定傳感器的輸入量和輸出量之間的關(guān)系,用以確定傳感器系統(tǒng)的線性度,、靈敏度和重復(fù)性等靜態(tài)性能指標(biāo),。
    表1為測(cè)量0~5pF電容的數(shù)據(jù)。由最小二乘法相關(guān)計(jì)算公式可得,,擬合直線為y=0.993x+0.049,,重復(fù)性誤差為1.77%,非線性誤差為0.84%,,基本誤差為2.61%,。

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5 結(jié)論
    本設(shè)計(jì)的核心硬件由芯片和單片機(jī)實(shí)現(xiàn),省去了昂貴的電容測(cè)量芯片,,由低功耗,,低成本的數(shù)字芯片組成,有效降低了測(cè)量系統(tǒng)的成本,。整個(gè)系統(tǒng)電路板面積小于2.7 cm2,,工作電流小于8 mA,低功耗電流為0.02 uA,,由于待測(cè)電容和標(biāo)準(zhǔn)電容均有接地端,,所以具有較強(qiáng)的抗干擾能力,并體現(xiàn)了低功耗,、體積小等優(yōu)點(diǎn),。本測(cè)量方案可以非常靈活,實(shí)現(xiàn)模塊化,,所設(shè)計(jì)的同一塊PCB可以移植到許多電容式傳感器的設(shè)計(jì)中去,。

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