低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動DRAM領(lǐng)域中的主要技術(shù),，預(yù)計到今年第二季度將占據(jù)40%的份額,，高于第一季度的31%,。大部分移動DRAM市場仍然由較舊的LPDDR1技術(shù)控制，但時間不會太長了,。

    到今年第四季度,，情況將會發(fā)生改變，屆時LLPDDR2將首次取得優(yōu)勢,，控制58%的市場份額,，如下圖所示,。

    移動DRAM曾經(jīng)是DRAM市場中的一潭死水，但現(xiàn)在三星,、海力士半導(dǎo)體,、爾必達(dá)和美光等重要廠商正在向這個領(lǐng)域投入更多的工程與開發(fā)努力,。不同于標(biāo)準(zhǔn)DRAM,，移動DRAM功耗較低、發(fā)熱較少而且占用的空間較小,，特別適合智能手機(jī)和其它小型電子產(chǎn)品,。這些產(chǎn)品都需要更強(qiáng)的計算能力和更小的占用空間。移動DRAM也用于數(shù)碼相機(jī),、便攜媒體播放器,、便攜游戲產(chǎn)品和平板電腦。

    移動DRAM面臨的一個主要挑戰(zhàn),，是其性能能否滿足未來產(chǎn)品的要求,。雖然LPDDR2現(xiàn)在對于手機(jī)和平板電腦來說已足夠，但功耗和寬帶問題仍然令人關(guān)注,。

    例如,，工作電壓為1.2V的時候，LPDDR2在每次數(shù)據(jù)傳輸中可以比LPDDR1節(jié)省50%左右的功耗,。但是,，如果未來設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸量是目前的10倍——很快就會達(dá)到這樣的水平，則LPDDR2將根本無法滿足要求,。

    LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB,，而LPDDR1只有1066MHz，這點也很突出,。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產(chǎn)品,。智能手機(jī)廠商的反饋顯示，需要數(shù)據(jù)率高達(dá)每秒12.8GB,，這將要求LPDDR2把時鐘頻率提高到800MHz,，而IHS公司認(rèn)為這似乎不太可行。

下一步是什么,？

    由于LPDDR2可能達(dá)到性能極限,，并很快無力滿足更高的要求，幾種移動DRAM技術(shù)正在爭取人們的關(guān)注,，試圖取而代之,，如下表所示。

    目前處于前列的包括：Rambus公司的移動XDR,；SPMT聯(lián)盟開發(fā)的串行端口內(nèi)存技術(shù),，準(zhǔn)備充當(dāng)免授權(quán)費的內(nèi)存接口,。

    其它移動DRAM技術(shù)包括Wide I/O，聲稱要在硅片層面連接DRAM內(nèi)核,，但不一定是移動技術(shù),；LPDDR3，其參數(shù)仍然未定,；DDR4,，一種標(biāo)準(zhǔn)DRAM，在2013年以前可能不會面世,。