《電子技術(shù)應(yīng)用》
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移動DRAM將出現(xiàn)更多形式,,可以替代目前的LPDDR2產(chǎn)品

智能手機和平板電腦可能需要更新和更強大的解決方案
2011-04-02
作者:MIKE HOWARD
關(guān)鍵詞: 智能手機 DRAM LPDDR2

      據(jù)IHS iSuppli公司的研究,目前形式的移動DRAM可能不足以滿足智能手機和平板電腦的需求,,因其在處理各種應(yīng)用時涉及大量數(shù)據(jù),。其它形式的移動DRAM正在浮現(xiàn),,可能取代現(xiàn)有解決方案。

       低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動DRAM領(lǐng)域中的主要技術(shù),,預(yù)計到今年第二季度將占據(jù)40%的份額,,高于第一季度的31%。大部分移動DRAM市場仍然由較舊的LPDDR1技術(shù)控制,,但時間不會太長了,。

       到今年第四季度,情況將會發(fā)生改變,,屆時LLPDDR2將首次取得優(yōu)勢,,控制58%的市場份額,如圖1所示,。

       移動DRAM曾經(jīng)是DRAM市場中的一潭死水,,但現(xiàn)在三星、海力士半導(dǎo)體,、爾必達(dá)和美光等重要廠商正在向這個領(lǐng)域投入更多的工程與開發(fā)努力,。不同于標(biāo)準(zhǔn)DRAM,移動DRAM功耗較低,、發(fā)熱較少而且占用的空間較小,,特別適合智能手機和其它小型電子產(chǎn)品。這些產(chǎn)品都需要更強的計算能力和更小的占用空間,。移動DRAM也用于數(shù)碼相機,、便攜媒體播放器、便攜游戲產(chǎn)品和平板電腦,。

       移動DRAM面臨的一個主要挑戰(zhàn),,是其性能能否滿足未來產(chǎn)品的要求。雖然LPDDR2現(xiàn)在對于手機和平板電腦來說已足夠,,但功耗和寬帶問題仍然令人關(guān)注,。

        例如,工作電壓為1.2V的時候,,LPDDR2在每次數(shù)據(jù)傳輸中可以比LPDDR1節(jié)省50%左右的功耗,。但是,,如果未來設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸量是目前的10倍——很快就會達(dá)到這樣的水平,則LPDDR2將根本無法滿足要求,。

       LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB,,而LPDDR1只有1066MHz,這點也很突出,。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產(chǎn)品,。智能和機廠商的反饋顯示,需要數(shù)據(jù)率高達(dá)每秒12.8GB,,這將要求LPDDR2把時鐘頻率提高到800MHz,,而IHS公司認(rèn)為這似乎不太可行。

       下一步是什么,?

       由于LPDDR2可能達(dá)到性能極限,,并很快無力滿足更高的要求,幾種移動DRAM技術(shù)正在爭取人們的關(guān)注,,試圖取而代之,,如表1所示。
 

       目前處于前列的包括:Rambus公司的移動XDR,;SPMT聯(lián)盟開發(fā)的串行端口內(nèi)存技術(shù),,準(zhǔn)備充當(dāng)免授權(quán)費的內(nèi)存接口。

       其它移動DRAM技術(shù)包括Wide I/O,,聲稱要在硅片層面連接DRAM內(nèi)核,,但不一定是移動技術(shù);LPDDR3,,其參數(shù)仍然未定,;DDR4,一種標(biāo)準(zhǔn)DRAM,,在2013年以前可能不會面世,。

       Mike Howard是IHS公司的DRAM與內(nèi)存首席分析師。

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