1 前言
傳統(tǒng)的集成模擬開關(guān)電路如ADG211系列等由于其接觸電阻在幾十Ω至數(shù)百Ω范圍,,不能滿足功率器件的開關(guān)控制要求。由于半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,,目前已經(jīng)有諸多無觸點(diǎn)開關(guān)可供設(shè)計(jì)者選用,。無觸點(diǎn)開關(guān)在電磁兼容性、可靠性,、安全性等方面的優(yōu)越性是機(jī)械式繼電器無法比擬的,。本文介紹幾種新型的無觸點(diǎn)開關(guān),。由于應(yīng)用領(lǐng)域的多樣性,,對不同的應(yīng)用場合,會有不同的要求,。如控制對象有直流交流之分;控制對象的負(fù)載電流,、接觸電阻的要求可能有若干數(shù)量級的差別;對象的工作電壓可能從幾V到380 V甚至更高。新型器件提供了滿足各種性能要求的應(yīng)用,,讀者可以直接選用適當(dāng)?shù)钠骷?,也可以用簡單的電路?shí)現(xiàn)無觸點(diǎn)的開關(guān)控制。
2 常用無觸點(diǎn)開關(guān)
2.1 三端穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)的無觸點(diǎn)開關(guān)
三端穩(wěn)壓器是設(shè)計(jì)者十分熟悉的常用廉價(jià)器件。圖1是利用三端穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)的開關(guān)電路,。從控制端加入的信號決定是否將三端穩(wěn)壓器與地導(dǎo)通,。若導(dǎo)通則輸出端上電,否則輸出端相當(dāng)于斷開,。此電路十分簡單,,也容易調(diào)試,且有多種電壓的穩(wěn)壓器供選用,,適用于直流負(fù)載的控制,。缺點(diǎn)是穩(wěn)壓器的管壓降使輸出電壓有所降低,不適合電池供電的設(shè)備,。選用低壓差三端穩(wěn)壓器會有所改善,。

2.2 基于可控硅器件的無觸點(diǎn)開關(guān)
目前有很多這類的器件供選擇,如意法半導(dǎo)體公司(ST)的ACS系列產(chǎn)品,。該產(chǎn)品可以直接 用來控制風(fēng)扇,、洗衣機(jī)、電機(jī)泵等設(shè)備,,隔離電壓可達(dá)到500 V~千V以上,。圖2是其典型應(yīng)用 電路。此類器件價(jià)格低廉,,但是只能用于交流負(fù)載的開關(guān)控制,。
2.3 基于光耦三極管和達(dá)林頓管用作無觸點(diǎn)開關(guān)
基于光電三極管的無觸點(diǎn)開關(guān)被稱為光電耦合器(photocoupler)[1]。如 Sharp PC817系列,、NEC PS2500系列,、安捷倫的HCPL260L/060L等。其工作原理如圖3所示,。當(dāng)輸入端加正向電壓時(shí)發(fā)光二極管(LED)點(diǎn)亮,,光敏三極管會產(chǎn)生光電流從集電極供給負(fù)載;當(dāng)輸入端加反向電壓時(shí),LED不發(fā)光,,使光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),,相當(dāng)于負(fù)載開路。從工作原理看,,這類器件主要應(yīng)用于直流負(fù)載,,也可用來傳輸電流方向不變的脈動(dòng)信號。該器件的工作速度比較高,,一般在微秒級或者更快,。


達(dá)林頓管是兩個(gè)雙極性晶體管的復(fù)合。達(dá)林頓管的最大優(yōu)點(diǎn)就是實(shí)現(xiàn)電流的多級放大,,如圖4所示,。缺點(diǎn)就是飽和管壓降較大。由于兩個(gè)晶體管共集電極,整個(gè)達(dá)林頓管的飽和電壓等于晶體管Q2的正向偏置電壓與晶體管Q1的飽和電壓之和,,而正向偏置電壓比飽和電壓高得多,,這樣整個(gè)達(dá)林頓管的飽和電壓就特別的高,因此達(dá)林頓管導(dǎo)通時(shí)的功耗較高,。
仙童半導(dǎo)體(fairchild)的達(dá)林頓光耦合器采用隔離達(dá)林頓輸出配置,,將輸入光電二極管 和初級增益與輸出晶體管分隔開來,以實(shí)現(xiàn)較傳統(tǒng)達(dá)林頓光電晶體管光耦合器更低的輸出飽 和電壓 (0.1 V) 和更高的運(yùn)作速度,。該公司推出5種最新產(chǎn)品,,采用單及雙溝道配置,提供3.3 V或5 V工作電壓的低功耗特性,。雙溝道HCPL0730和 HCPL0731光耦合器提供5 V電壓操作和SOIC8封裝,,能實(shí)現(xiàn)最佳的安裝密度。單溝道FOD070L,、FOD270L及雙溝道FOD 073L器件的工作電壓為3.3 V,,比較傳統(tǒng)的5V部件,其功耗進(jìn)一步減少33%,。NEC公司的芯片PS2802.1/4,,PS27021,PS25021/2/4,,PS25621/2 等也屬于達(dá)林頓光耦合器,。
2.4 基于MOS或IGBT的無觸點(diǎn)開關(guān)
基于MOS場效應(yīng)管的無觸點(diǎn)開關(guān)由于耦合方式不同有很多類,例如采用光電耦合方式的稱為光耦合MOS場效應(yīng)管(OCMOS FET),,原理如圖5所示,,虛線框內(nèi)為OCMOS FET的內(nèi)部原理圖。


電路內(nèi)部包括光生電壓單元,,當(dāng)發(fā)光二極管點(diǎn)亮?xí)r,,該單元給場效應(yīng)管的柵極電容充電,這樣就增大柵極與源極間的電壓,,使MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,,開關(guān)閉合。當(dāng)發(fā)光二極管熄滅時(shí),,光生電壓單元不再給柵極電容充電,,而且內(nèi)部放電開關(guān)自動(dòng)閉合,強(qiáng)制柵極放電,,因此柵源電 壓迅速下降,,場效應(yīng)管截止,,開關(guān)斷開,。OCMOS FET有兩種類型:一種是導(dǎo)通型(maketype),常態(tài)下為斷開;另一種是斷開型(breaktype);常態(tài)下為導(dǎo)通。本文所指的是導(dǎo)通型,。光耦合 MOS場效應(yīng)管是交直流通用的,,工作速度沒有光電耦合器快,為毫秒級,,他的輸出導(dǎo)通特性與輸入電流參數(shù)無關(guān),。OCMOS FET 可以以弱控強(qiáng),以毫安級的輸入電流驅(qū)動(dòng)安級的電流,。由于場效應(yīng)管可以雙向?qū)ā?a class="innerlink" href="http://wldgj.com/tags/導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻" target="_blank">導(dǎo)通電阻低的特征,,他主要用于中斷交流信號,如圖5所示,,因此OCMOS FET又被稱為固態(tài)繼電器(SSR)[2],。
基于MOS場效應(yīng)管的無觸點(diǎn)開關(guān)器件很多,例如日本電氣公司(NEC)的 PS7200系列,、Toshi ba TLP351系列,、松下Nais AQV系列。通常低導(dǎo)通電阻型適用于負(fù)載電流較大的場合,,例如N EC PS710B1A:導(dǎo)通電阻Ron = 0.1Ω(最大),,負(fù)載電流IL=2.5 A(最大),導(dǎo)通時(shí)間Ton=5 ms,。低CR積型的光MOS FET適用于需要切換高速信號的場合,,如測量儀表的測試端等。所謂CR積指的是輸出級MOS FET的輸出電容與接通電阻的乘積,,他是評價(jià)MOS FET特性的一個(gè)參數(shù)指標(biāo),。如NECPS7200H1A:導(dǎo)通電阻Ron=2.2 Ω,CR積為9.2 pF·Ω,,導(dǎo)通時(shí)間Ton=0.5 ms,,負(fù)載電流IL =160 mA。絕緣柵雙極晶體管IGBT[3]的結(jié)構(gòu)如圖6所示,。

這種結(jié)構(gòu)使IGBT既有MOS FET可以獲得較大直流電流的優(yōu)點(diǎn),,又具有雙極型晶體管較大電流處理能力、高阻塞電壓的優(yōu)點(diǎn),。這種器件可以連接在開關(guān)電路中,,就像NPN型的雙極型晶體管,兩者顯著的區(qū)別在于IGBT不需要門極電流來維持導(dǎo)通,?;贗GBT的無觸點(diǎn)開關(guān),例如Agillent HCPL3140/HCPL0314系列,。

各種無觸點(diǎn)開關(guān)的比較
為了方便設(shè)計(jì)者選用合適的電路,,表1給出了不同類型無觸點(diǎn)開關(guān)的參考芯片,,并比較了各 芯片的開關(guān)特性。